ГОСТ Р ИСО 14708-7—2016
ЕЕ.4 Воздействие электромагнитного поля дальней зоны на частотах от 10 до 2450 МГц
Во время испытания изделие включается и помещается в модель головы (см. СС.2). Модель головы поме
щается в модуль ТЕМ (для частот ниже 1 ГГц) или в модуль GTEM с измерительной областью в диаметре 30 см, не
менее. Испытание выполняется на дискретных частотах с амплитудными значениями напряженности поля в
соответствии с таблицей 102. Направление распространения волны должно быть нормальным к поверхности про
цессора и датчика.
Калибровка. На всех испытательных частотах отношение напряжения питания камеры ТЕМ или GTEM к
напряженности поля в центре измерительной области должно быть определено при отсутствии макета головы и
испытуемого изделия. Калибровка должна быть выполнена с точностью, не хуже +30 % и -25 %. Испытания изделия,
помещенного в модель головы, должны быть выполнены с применением калибровки напряжения или мощности пи
тания камеры ТЕМ или GTEM. Принято считать, что модель головы и испытуемое изделие немного искажают поле.
В случав применения камеры ТЕМ или GTEM с расстоянием по высоте между пластинами, например. 50 см,
амплитуда максимального напряжения составляет 100 В. что соответствует 71 В среднеквадратичного значения
для верхнего уровня. Мощность генератора временного импульса камеры ТЕМ или GTEM с полным сопротивлени ем
50 Ом составила бы 100 Вт среднеквадратичного значениядля верхнего уровня. Но обычно для испытательного
сигнала на верхнем испытательном уровне среднеквадратичное значение мощности, интегрированное в течение
рабочего цикла (время воздействия плюс время отсутствия сигнала), приблизительно в 25 раз ниже. Поэтому до
статочно усилителя со среднеквадратичным значением средней мощности 4 Вт и среднеквадратичным значением
пиковой мощности 100 Вт (коэффициент амплитуды 14 дБ).
П р и м е ч а н и е — «Пиковая напряженность электрического поля» описывает максимальную амплитуду
вектора электрического поля, а «пик мощности во время импульса» описывает среднеквадратичное значение мощ
ности в течение короткого времени импульса.
ЕЕ.5 Воздействие электромагнитного поля ближней зоны на частотах выше 450 МГц
Настоящее испытание является альтернативой испытанию, описанному в ЕЕ.4. которое позволяет избежать
большой напряженности поля в камерах ТЕМ или GTEM на частотах выше 450 МГц. Оно проще для выполнения,
чем испытание СС.4. но с другой стороны камеры ТЕМ или GTEM по прежнему будут необходимы для испытаний на
частотах ниже 450 МГц. Это испытание в поле ближней зоны особенно хорошо моделирует помехи от мобиль ных
телефонов, которые представляются основными источниками помех в этом диапазоне частот.
Во время испытания изделие включается и помещается в модель головы (см. ЕЕ.2). Для каждой испытатель
ной частоты должен быть использован отдельный испытательный диполь, согласно ИСО 14117. Испытание выпол
няется на дискретных частотах с пиковой мощностью диполя согласно указанной в таблице ЕЕ.101. приведенной
ниже. Каждая испытательная частота должна быть применена для двух ортогональных ориентаций диполя относи
тельно выходного проводника имплантата. Существует два варианта: либо используют обе типичные ориентации,
приведенные на рисунке ЕЕ. 101. сдиполем, ориентированным вертикально, или используют только одну типичную
ориентацию и поворачивают испытательный диполь в горизонтальную ориентацию. В любом случае расстояние
от центра диполя до поверхности пластикового контейнера, в котором размещены процессор и датчик, должно
со ставить 1 см.
Т а б л и ц а ЕЕ. 101 — Пиковое значение мощности диполя
Частота МГц
Пиковое значение мощности диполя
Нижние* значения,
уровень иВт
Время импульса, мс
Максимальные15
значения, уровень. 8т
Время импульса, мс
900
40
10
2
1.4
1800
40
10
2
1.4
2450
40
10
2
1.4
а Испытательные уровни взяты из ИСО 14117. Более низкий испытательный уровень соответствует более
низкой напряженности поля, приведенной в таблице 102. Охватывает расстояние между мобильным телефоном и
имплантатом в 15 см.
ь Верхний испытательный уровень немного больше, чем пиковый уровень напряженности поля, приве
денный в таблице 102. Охватывает расстояние между мобильным телефоном и имплантатом в 1.3 см.
Погрешность мощности диполя для любой тестовой частоты должна быть не более
±
15%.
48