ГОСТ Р ИСО 14708-7—2016
железнодорожные системы и источники питания (60 Гц также охватываются испытанием на 50 Гц). На низких часто тах
(выше 50 Гц и ниже 1,66 кГц) высокие напряженности поля приемлемы для людей без имплантатов, но такие
напряженности не встречаются в повседневной жизни. Для частот между 1.66 и 100 кГц требование было уста
новлено на основе ограничений, приведенных в Рекомендациях 1999/519/ЕС (которые соответствуют ANSI/IEEE
С95.1) из предположения, что локальный фактор немного больше 20 в комбинации с пиково-среднеквадратичным
значением отношения для непрерывной волны 1.4. Это означает, что максимальная пиковая напряженность поля
неимпульсных помех может быть приблизительно в 28 раз больше исходного уровня (который является средне
квадратичным значением для воздействия на все тело). Пиковый фактор равен 1 для частот ниже 100 кГц. Это
означает, что для импульсных полей никакие превышения пиковых амплитудных значений не принимаются. Выше 100
кГц локальный фактор уменьшается непрерывно до 5 на частоте 10 МГц. и пиковый фактор увеличивается
непрерывно до 32 на частоте 10 МГц. приблизительно. Это означает, что пиковая напряженность поля в большей
степени зависит от локального фактора на низких частотах и от пикового фактора на высоких частотах. 1999/519/ЕС
определяет пик напряженности поля для импульсных областей выше 10 МГц и позволяет ему отличаться в 32 раза от
исходных уровней (23-1.4 = 32). Максимальные уровни 27.3 покрывают оба фактора, локальные и пиковые, ка кой бы
не был выше. В настоящее время известные области не используют пиковые факторы больше, чем прибли зительно 5.
Поэтому пиковые факторы до приблизительно 5 охвачены только верхними уровнями, приведенными в настоящем
стандарте.
Напряженность поля (более низкий уровень)отражает исходный уровень, согласно Рекомендациям 1999/519/
ЕС. Это означает, что локальное увеличение или пульсации напряженности поля охвачены частично. Более низ
кие уровни характерны для организма в целом в обычных условиях, но они не охватывают некоторые точечные
источники помех, например, некоторые устройства электронных систем наблюдения (EAS) могут все же влиять на
функцию имплантата. Требование для нормального функционирования на частотах между 1.66 и 100 кГц в 20 раз
превышает требование защиты. Так ках пиковый фактор, устанавливаемый в этих требованиях, увеличивается
умеренно от 1 на частоте 100 кГц к 5 на частотах выше 10 МГц. различие между верхними и более низкими уровня
ми медленно уменьшается в верхней части диапазона частот. Рекомендация 1999/519/ЕС допускает функциониро
вание на 5 МГи и на более высоких магнитных полях, чем определенные в таблице 101. При этом данная частота
используется для телерадиовещания. В некоторых ситуациях (Е/Н = 377 В/A) компонент электронной области огра
ничивает уровень электромагнитного поля.
П р и м е ч а н и е 1 — «Пиковая напряженность магнитного поля» описывает максимальную амплитуду век
тора магнитного поля, а не максимальное кратковременное среднеквадратичное значение во время выделения
энергии.
Теоретическое моделирование, а также измерения должны продемонстрировать, что требования соблюда
ются в любом направлении вектора поля.
27.4 Диапазон частот от 10 МГц до 3 ГГц. На частотах выше 10 МГц для испытаний актуальны обе составля
ющие: электрическая и магнитная. Так как большинство воздействий может быть имитировано ситуациями в поле
дальней области, то достаточно определять только напряженность электрического поля.
Теоретически локальный фактор 5 и дополнительный пиковый фактор 32 относительно исходных уровней,
приведенных в Рекомендациях 1999|’519/ЕС. приемлемы для людей без имплантатов. Но в реальной жизни не
известны никакие общедоступные источники излучения с такими характеристиками. Для известных далеких источ
ников излучения был выбран полный фактор 5 для частот до 450 МГц с уменьшением к 2.5 на частоте 2 450 МГц. Это
означает, что вероятное импульсное излучение мобильных устройств действует в тех точках, которые распо ложены
непосредственно у места имплантации.
Напряженности поля для выполнения требований нормального функционирования (более низкий уровень)
не отражают исходные уровни, приведенные в Рекомендации 1999/519fEC, которые не учитывают ни локальный
фактор, ни пиковый фактор. Это обычно соответствует характеристикам далеких областей, которые характерны
для открытого доступа.
П р и м е ч а н и е 2 — «Пиковая напряженность электрического поля» описывает максимальную амплитуду
вектора электрического поля, а не максимальное кратковременное среднеквадратичное значение во время вы
деления энергии.
Частоты выше 800 МГц. особенно в ситуации близкого поля, важны из-за широкого использования карман
ных сотовых телефонов. Тем не менее, представляется достаточным задание только напряженности электриче
ского поля.
Теоретическое моделирование, а также измерения должны подтвердить, что в результате достигнуто соблю
дение требований при любом направлении вектора поля.
27.5 Модуляция/форма импульса должны отразить два обстоятельства. Они должны иметь потенциал вли
яния на функцию имплантируемой системы, но в случае измерений они не должны давать потенциалы, которые
можноне отличить от сигнала стимуляции в испытательном оборудовании. Амплитуда сигнала помехи определена в
27.3—27.4.
На частоте 16.6 Гц (некоторые европейские железнодорожные системы) и на 50 Гц (источники питания пере
менного тока) поля обычно имеют форму синусоидальной волны. На всех других частотах существуют всевоз-
42