ГОСТ Р ИСО 7870-4-2013
Единственным решением является применение нолупараболической маски, кривая
профиля которой вписана в усечеинуюУ-маску около ее узкого конца (см. рисунок 9).
Номер кйбшодети
Рисунок 9 - Полунараболнческая маска
Основой полупараболической маски, представленной на рисунке 9, является
усеченная V-маека общего назначения, показанная на рисунке 5. В последних пяти
интервалах наблюдений в узком конце ширина маски составляет 1,25«тс вместо 5<те для
V-маски. Данные для построения полупараболической маски приведены в таблице 7.
Таблица? - Данные для построения полупараболической маски
01
2
34
51020
Расстояние отточки отсчета
.)
(интервалы наблюдений./)
Полуширина маски в точке./ (в
единицах ое)
1,253.104.65
5.906,85
7,5010.0015,00
Детали= 1,25 +2.00/- 0.157-’Прямая линия
Характеристика свойств полупараболической маски:
a) превосходит V-маску по всему диапазону сдвигов среднего процесса. Это
достигается за счет увеличения почти вдвое уровня ложных сигналов при среднем процесса
на уровне целевого значения;
b
) уступает стандартной усеченной V-маске FIR и по уровню ложных сигналов и по
уровню сдвигов среднего процесса, кроме сдвигов, не превосходящих 0,5 стандартного
отклонения;
c) уступает усеченной V-маске но уровню ложных сигналов и сопоставима по
обнаружению сдвигов среднего процесса.
Эти свойства приведены в таблице 6, где показано сравнение значений ARL для
различных правил принятия решений.
26