ГОСТ РМЭК 821-2000
+6S±fi*чбв±б*
Г ™
1
Г
’1
11
1
1
1I
ЗДОыГ
±6% 1
1
■
г
1
I
3
±
30
6
О
%
м
1
Г
1
I
1
=
=0,1 мсФ
<
1 Сигнальная
Iп т
0,1 a r ts
г
1
г
470 0м Г
± 3 * 1
|
1
|
1
1
1
1470Ом
I * 0 *
1
1
!
1
’
РдемСтмннывСхемы,
кпт(]су| обмпнашхг
греОуешы9парса*0тры
осошнныхнагружж
R - 1 U 0
m
±6% V -2 J* B ± 1 0 4
wipyaiM
Рисунок 6.2 — Стандартные оконечные нагрузки магистрали
Рекомендация 6.3. Рекомендуется устанашшвать конденсатор развязки от 0.01 мкФ до 0.1 мкФ
как можно ближе к контакту Vvкаждой резисторной сборки оконечных нагрузок.
Разрешение 6.3. Для обеспечения оконечной нагрузки МОГУТ использоваться любые резистор
ные схемы и источники напряжений, если их эквивалентная схема будет соответствовать показанной
на рисунке 6.2.
6.5.2 В о л н о в о ес о п р о т и в л е н и е
Каждая сигнальная линия на объединительной плате имеетсоответствующее волновое сопротив
ление Z„. Это волновое сопротивление важно потому, что неоднородности линии, связанные с емкос
тными эффектами и нагрузками в магистрали, и рассогласование между2^ и оконечными нагрузками
мог\т вызвать искажения формы сигналов. На рисунке 6.3 показано поперечное сечение микрополос-
ковой сигнальной линии многослойной печатной объединительной платы, ^является функцией ши
рины и толщины линии, толщины диэлектрика и его относительной диэлектрической проницаемо сти.
На рисунке 6.4 представлена зависимость волнового сопротивления от ширины микрополосковой линии
для стеклотекстолитовой платы общепринятой толщины. Оконечные нагрузки на сигнальных линиях
магистрали VME уменьшают искажение формы проходящих по ним сигналов. Хотя идеаль
ногосогласования волновых сопротивлений (которое бы полностью исключало искажения, вызван ные
отражениями) оконечных нагрузок и сигнальных линий не достигается, важно не допустить
слишком большого рассогласования, например в случае, когда величина Z, сигнальной линии слиш
ком мала.
Рекомендация 6.4. При проектировании объединительной платы рекомендуется выбирать такую
ширину сигнальной линии и толщину платы, которые дают значение Z0. определяемое с помощью
рисунка 6.4, максимально приближающееся к 100 Ом.
7-3- IW4
145