ГОСТРМЭК 821-2000
- вытекающий ток в состоянии высокогоуровня 1он—не менее 3 мЛ;
- напряжение высокогоуровня VOH—не менее 2,4 В при токе IQU= 3 мА;
- минималызый вытекающий ток при коротком жчыкании /(14— не менее 50 мА при
напряжении 0В;
- максима-шшй вытекающий ток при коротком замыкании los—не более 225мА при напряже
нии ОВ.
Правим>6.14. Привыключении i/юрмировапшеймодули магистрамi VME ДОЛЖНЫ ОГРАНИЧИ
ВАТЬ нагрузку каждой из линийAS*, DS0*, DS1*доследующих значений:
• вытекающий ток модуля при напряжении 0,6 В. включая ток утечки, l02L+lIL —не более
450мкА;
- втекающий ток модуля при 2,4 В, включая ток утечки. 10/„+/,н — не более 100мкА;
-общая емкостная нагрузка на сигнал, включая емкость сигнального проводника,Сг — не более
20пФ.
Замечание 6.5. Втекающий и вытекающий токи, определяемые правилами 6.13 и 6.14. учитывают
токи как формирователя, так и приемника, втекающие в модуль и вытекающие из него.
Предложение 6.1. Для возбуждения линий AS", DS0" и DSI* предлагается использовать мик
росхемы типов 531ЛП4 (74S241) или 1531ЛГ14/АП5 (74F241/244). В качестве приемников на линиях
AS*, DS0* и DS1* предлагается использовать микросхемы типов 555AJ13(74LS240), 555АП4(74LS241)
или 555АП5 (74LS244).
6.4.2.2 Требования к характеристикам формирователейс тремя состояниями и нагрузок для стан
дартныхлинийА01-А31. DO0—D3J, АМ0—АМ5. /АСК*. LWORD*, WRITE*
Правило 6.15. Если модуль магистрат УМЕвозбуждаетлинииАОI—АЗI, D00—D3I, АМ0—А.М5,
1АСК*, LWORD*или WRITE*, тоформирователиdw тих линийДОЛЖНЫ УДОВЛЕТВОРЯТЬ следую
щим требованиям:
- втекающий ток в состоянии низкого уровня 1Ш—не менее 43мА;
- напряжение низкого уровня V(n —не более 0,6 В при токе !(П= 48мА;
- вытекающий ток в состоянии высокогоуровня 10н — не менее 3 мА;
- напряжение высокого уровня VQjt — не менее 2.4 В при токе 10Н= 3 мА;
- минимальный вытекающий ток при коротком замыкании l0i —не менее 50мА при напряжении
О В;
- максимальный вытекающий ток прикоротком замыкании 1М— неболее 225мА при напряжении
ОВ.
Иратии 6.16. Привыключении формирователеймодули магистрали УМЕДОЛЖНЫ ОТРАНИЧИ-
ВЛТЬ нагрузку каждой из линий Л01-А31, D00-D31, АМ0-АМ5, ИСК*, LWORD* и WRITE* до
следующих значений:
-вытекающий ток модуля при напряжении 0,6 В, вютчая ток утечки,—не более
УООмкЛ:
- втекающий ток модуля при напряжении 2,4 В. включая ток утечки, /МИ+/,Н— ее более
150мкА;
-общая емкостная нагрузка на сигнал, включая емкость сигнального проводника,Cf — не более
20пФ.
Замечание 6.6. Втекающий и вытекающий токи, определяемые правилами 6.15 и 6.16. учиты
вают токи как формирователей, так и приемников, втекающие в модуль и вытекающие из него.
Предложение 6.2. Для возбуждения линий A01-A3I, D00-D.31. ЛМ0-ЛМ5, IACK", LWORD*
и WRITE* предлагается использовать микросхемы типов 1533ЛП8 (74ALS645-1), 1531АП5 (74F244),
1530ИРЗЗ (74AS573) или 74AS580.
В качестве приемников налиниях АОI-АЗ I, D00-D31, АМ0-АМ5, JACK*. LWORD" и WRITE*
предлагается использовать микросхемы типов 555АГ13 (74LS240), 555АП4 (74LS241) или 555АП5
(74LS244).
В качестве приемопередатчиков на линиях Л01—А31, D00—D31, AMO—АМ5, 1ЛСК*,
LWORD* и WRITE* предлагается использовать микросхемы типов 1533ЛП8 (74ALS645-1). 1533АП6
(74ALS245A-I), 1533АПЮ (74ALS646-I) или 74ALS64S-I.
6.4.2.3 Требования к характеристикам формирователей с двумя состояниями и нагрузок для
сашюточныхлиний SERCLK, SYSCLK. BCLR*
142