ГОСТ РМЭК 821-2000
Правило 6.17. Системы магистрат УМЕ ДОЛЖНЫ ИМЕТЬ только один модуль, возбуждаю-
щий каждую из линий SERCLK, SYSCLK или BCLR*. Его (f’юрмирователи для этихлиний ДОЛЖНЫ
УДОВЛЕТВОРИТЬ следующим требованиям:
- втекающий ток в состоянии низкого уровня 101—не менее 64мЛ;
- напряжение низкого уровня У0, — не более 0,6 В при токе 101 - 64мЛ;
- вытекающий ток в состоянии высокогоуровня 1ОИ— не менее 3 мЛ;
- напряжение высокогоуровня У0И — не менее 2,4 В при токе !он = 3 мА;
-минимальный вытекающий ток при коротком замыкании 1неменее 50мЛ при напряжении
О В:
-максимальный вытекающий ток при коротком замыкании /й1—не более255мА при напряжении
0 В.
Правило 6.18. Все модули ДОЛЖНЫ ОГРАНИЧИВАТЬ нагрузку каждой из линий SERCLK,
SYSCLK и BCLR* до следующих значений:
-вытекающий ток модуля при напряжении 0.6 В, взсиочая ток утечки. 102, +/и —не более
600мкА;
- втекающий ток модуля при напряжении 2.4 В. включая ток утечки, 1оум +1Ш—не более
50мкА:
- общая емкостная нагрузка на сигназ, вкзючая емкость сигнального проводника, для системных
контроллеров,имеющих формирователи,С, —не более 20пФ;
- общая емкостная нагрузка на сигнал, включая емкостьсигназьногопроводника, дляпрочих модулей,
не имеющихформироватезей,СТ—не более 12пФ.
Замечание 6.7. Втекающий и вытекающий токи, определяемые в правилах 6.17 и 6.18. учиты
вают токи как формирователей, так и приемников, втекающие в модуль и вытекающие из него.
Предложение 6.3. Для возбуждения линий SERCLK, SYSCLK и BCLR* ПРЕДЛАГАЕТСЯ ис
пользовать микросхемы типов 531АГ14<74S241) или 1531АП4/АП5(74F241/244). В качестве приемни
ковдля линий SERCLK, SYSCLK и BCLR* предлагается использовать микросхемы типов 555АПЗ
(74LS240), 555АП4 (74LS24I) или 555АП5 (74LS244).
6.4.2.4 Требованияк характеристикам формирователейс двумя состояниямии нагрузок для стан
дартных линий BGOOUT* - BG30UT*/ BGOIN*- BG31N*.IACK0UT*/1ACK1N*
Правило 6.19. Если Модуль магистрали УМЕ возбуждает линии BGOOUT*—BG30UT*/BGOIN*—
BG31N* или 1ЛСКОПТ*/!АСKIN*, то его формирователю этих линий ДОЛЖНЫ УДОВЛЕТВОРИТЬ
следующимтребованиям:
- втекающий ток в состоянии низкого уровня /|Я—•не менее 8 мА;
- напряжение низкого уровня У0/ — не более 0,6 В при IOL = 8мА;
- вытекающий ток в состоянии высокогоуровня 1ои— не менее 400мкА;
- напряжение высокого уровня Уоы —не менее 2,7 В при 1Ш = 400мкА.
Правило 6.20. Все модули магистрали УМЕДОЛЖНЫ ОГРАНИЧИВАТЬ нагрузку каждой из
линий BGOOVT*BG30UT*/BG0!N *—BG31N*и 1АСK0UT*/1ACК!.V*доследующих значений:
-вытекающий ток модуля при ззапряжении 0,6 В. вкзючая ток утечки. /(Ш+ 1и —не более
600мкА;
- втекающий ток модуля ззри напряжении 2,4 В. включая ток утечки, 1оги + 1Ш— не более
50мкА;
-общая емкостная нагрузка на сигнал, включая емкость сигнального проводника,Сг—не более
20пФ.
Замечание 6.8. Втекающий и вытекающий гоки, определяемые вправилах 6.19 и 6.20, учиты
вают токи как формирователей, так и приемников, втекающие в модуль и вытекающие из него.
Предложение 6.4. Для возбуждения линий BGOOUT*—BG30UT*/ BGOIN4*—BG31N* и
1АСКОU’P/IACKIN* предлагается использоватьлюбые стандартные формирователи, удовлетворя
ющие указанным выше требованиям. В качестве приемников для линий BGOOUT*—BG30UT*/
BGOIN*—BG3IN* и IАСКОUT*/1АСKIN" предлагается использовать микросхемы типов 555АПЗ
(74LS240), 555АП4 (74LS241) или 555АП5 (74LS244).
6.4.2.5 Требования к характеристикам формирователей с открытым коллектором и нагрузок
для линий BRO*—ВЯЗ*, BBS Y*, IRQI*-1RQ7*. ОТАСК*, ВERR*, SYSFAIL *, SYSRESET*, АСЕАН* и
1АСК*
7-1"
143