ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016
7.3.15 лазерная абляция. Процесс управляемого удаления поверхностного слояlaser ablation
материала с подложки лазерным импульсом.
П р и м е ч а н и е — Лазерную абляцию применяют для формирования неоднородностей размерами в нано-
диапазоне (2.7) на поверхности материала, покрывающего подложку.
7.3.16 травление световым излучением; фотохимическое травление: Процесс
управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки световым из-
лучением.
light-assisted
etching;
photochemical
etching
П р и м е ч а н и е — Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы в
специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма получаемого изображения
зависят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подложку. Данный ме тод
применяют, например, для получения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего
люминесцентными свойствами.
physical etching:
sputter etching
7.3.17 физическое травление; травление распылением: Процесс управляемого
удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под
действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона).
П р и м е ч а н и е — Физическое травление относят к анизотропным и неизбирательным процессам травления.
7.3.18 плазменное травление: Сухое травление (7.3.9) компонентами плазмы — plasma etching
ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда в га
зовой среде.
П ри м е ча н и я
1 К понятию «оборудование для плазменного травления» относят реактор с плазмой и двумя емкостными элек
тродами. в который помещают материал, подлежащий травлению.
2 В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую
реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результа те
образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость
травления.
radiation track
etching
7.3.19 травление по трекам излучения. Процесс управляемого удаления поверх-
ностного слоя материала с подложки химическими веществами для формирова-
ния узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бом
бардировки) частицами или тяжелыми ионами.
П р и м е р — Пористые полимеры, в которых узкие каналы образованы предварительным облучени
ем и последующей обработкой избирательным растворителем.
reactive ion
etching:
RIE
7.3.20 реактивное ионное травление: РИТ: Плазменное травление (7.3.18) пото-
ком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом напряже-
ния. возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена подлож-
ка. высокочастотного напряжения относительно изолированных стенок реактора.
П р и м е ч а н и е — Поток заряженных ионов плазмы генерируют в специальных условиях (при заданных зна
чениях давления и напряженности электромагнитного поля). Высокознергичные ионы бомбардируют поверх
ность материала подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами
материала подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением (7.3.22), которое
относят к изотропным процессам травления. РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по
различным пространственным направлениям и с разной скоростью.
7.3.21 избирательное травление: Процесс управляемого удаления поверхност- selective etching
ного слоя материала с подложки, происходящий с различной скоростью на разных
участках поверхности с различным химическим составом.
П р и м е р — Водные растворы под воздействием высокочастотных электромагнитных полей уда
ляют с подложки оксид кремния (S i O и не удаляют кремний.
7.3.22 жидкостное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного wot etching
слоя материала с подложки под действием жидких химических веществ.
17