ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016
2 Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например используя арсенид индия (InAs) и подложку из арсенида
галлия (GaAs}. получают структуры размером в нанодиапаэоне (2.7).
3 См. библиографию [13].
7.2.14
физическое осаждение из газовой фазы: ФОГФ: Процесс нанесения покрытия
испарением исходного материала с последующей его конденсацией на подложке в
условиях вакуума.
[ISO 2080. статья 2.12]
physical vapour
deposition;
PVD
7.2.15 послойное электростатическое осаждение полиэлектролитов. Про
цесс получения покрытия путем последовательного нанесения на поверхность
подложки слоев полиэлектролитов с противоположными знаками электрических
зарядов.
polyelectrolyte
layer-by-layer;
LbL
7.2.16 термическое напыление (нанотехнологии): Процесс получения покрытия
из наночастиц (2.6) напыляемого материала, при соударении которых с подложкой
происходит их соединение, с применением плазменной струи или в результате сго
рания примесей напыляемого материала.
thermal spray
7.2.17 центробежноо осаждение: Процесс получение пленки осаждением из жид
кого исходного материала твердой дисперсной фазы на вращающуюся подложку
под действием центробежных сил.
spin coating
7.2.18 осаждение распылением. Процесс получения покрытия из исходного жид
кого материала, преобразованного соплом в аэрозоль и нанесенного на поверх
ность подложки.
spray deposition
7.2.19 осаждение напылением: Физическое осаждение из газовой фазы (7.2.14) с
применением источника высокоэиергичных частиц, бомбардирующих исходный
материал (мишень), для перемещения атомов исходного материала на поверх
ность подложки.
sputter deposition
7.2.20 полимеризация на поверхности: Процесс получение полимерной пленки
на поверхности подложки из газовой или жидкой фазы исходного мономера.
surface
polymerization
7.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам травления
7.3.1 анизотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного
слоя материала с подложки, происходящий в вертикальном направлении со скоро
стью выше, чем в горизонтальном направлении.
anisotropic
etching
7.3.2 Бош-травление; пассивационнос травление: Процесс управляемого удале
ния поверхностного слоя материала с подложки неоднократным чередованием ци
клов травления и пассивации, обеспечивающих формирование почти вертикаль
ных элементов структуры объекта.
Bosch etching
7.3.3 химическоо травление: Процесс управляемого удаления поверхностного
слоя материала с подложки под действием химических веществ.
chemical
etching
П р и м е ч а н и е — В процессе химического травления применяют жидкие (жидкостное травление) или газо
образные (сухое травление) химические вещества.
7.3.4 химическое ионно-лучевое травление: Процесс управляемого удаления по- chemically
верхностмого слоя материала с подложки пучком ионов химически активного газа.assisted
ion beam
etching
15