ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016
7.1.4 литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном: Процесс форми
рования заданного объекта методами осаждения или травления в соответствии с
шаблоном, представляющим собой двухмерную (2D) или трехмерную (3D) структу
ру из частиц коллоидного кристалла.
colloidal crystal
template
lithography
7.1.5фотолитография в глубоком ультрафиолете. ФГУ: Процесс формирования ре
льефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шабло
на с помощью ультрафиолетового излучения в диапазонедлин волн от 100до 280 нм.
7.1.6
deep ultraviolet
lithography;
DUV
перьевая нанолитография: Процесс формирования рельефного изображения
размерами менее 100 нм в соответствии с заданным шаблоном путем переноса
специального материала на подложку с помощью зонда атомно-силового микро
скопа. происходящего за счет диффузии через водный мениск между поверхно
стью подложки и зондом.
dip-pen
nanolithography
П ри м е ча н и я
1На острие зонда атомно-силового микроскопа наносят молекулы или наночастицы (2.6) специального матери
ала и переносят их на подложку, формируя рельефное изображение, состоящее из одного или нескольких слоев
наносимого материала.
2 Dip-Pen Nanolithography — торговая марка чернил, выпускаемых компанией Nanolnk Inc. Данные сведения
приведены как примердля правильного понимания текста настоящего стандарта. В стандартах Международной
организации по стандартизации (ИСО) термин dip-pen nanolithography не обозначает понятие «чернила». Тер
мин «перьевая нанолитография» допускается применять для обозначения аналогичной продукции.
[ISO 18115-2:2010, статья 6.401
7.1.7 электронно-лучовая литография: Процесс формирования рельефного изо
бражения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью
фокусированного электронного пучка.
electron-beam
lithography
7.1.8 фотолитография в экстремальном ультрафиолете. ФЭУ: Процесс фор
мирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения
заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин
волн от 10 до 20 нм.
extreme ultra
violet
lithography:
EUV
П р и м е ч а н и е — В оборудовании для фотолитографии в экстремальном ультрафиолете используют систе
мы специальных зеркал.
7.1.9 ионно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изобра
жения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фо
кусированного ионного пучка.
focused ion-beam
lithography;
FIB
7.1.10 иммерсионная оптическая литография: Литография (3.6) с повышенной
разрешающей способностью, полученной за счет заполнения воздушного проме
жутка между последней линзой объектива микроскопа и пленкой фоторезиста жид
костью с соответствующим показателем преломления.
immersion optics
7.1.11 интерференционная литография: Процесс формирования рельефного
изображения размерами в намодиапазоне (2.7) путем соответствующей обработки
облученного резиста, на поверхности которого с помощью дифракционных реше
ток получена интерференционная картина.
interference
lithography
7.1.12 ионно-стимулированное осаждение: Процесс формирования структуры
объекта или рельефного изображения путем увеличения концентрации молекул
осаждаемого материала на заданных участках подложки с помощью фокусирован
ного ионного пучка.
ion induced
deposition
7.1.13 ионно-стимулированное травление: Процесс формирования структуры
объекта или рельефного изображения путем уменьшения концентрации молекул
на заданных участках обрабатываемого материала, покрывающего подложку, с по
мощью фокусированного ионного пучка.
ion induced
etching
11