ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016
7.1.22 плазмонная литография. Процесс формирования рельефного изображе
ния размерами в нанодиапазоно (2.7) путем облучения фоторезиста, покрываю
щего подложку, оптическим излучением через шаблон (представляющий собой
металлическую плазмонную линзу), обеспечивающий возникновение ближнеполе
вого возбуждения, вызывающего изменения в фоторезисте.
7.1.23 рисование с помощью сканирующего зондового микроскопа: Процесс
получения рельефного изображения, заключающийся в изменении заданных
участков поверхности подложки острием сканирующего зондового микроскопа
(СЗМ) с чернилами или без них.
7.1.24 химическое осаждение из газовой фазы с применением сканирующего
туннельного микроскопа; ХОГФ СТМ: Процесс получения рельефного изобра
жения размерами в нанодиапазоне (2.7) с помощью сканирующего туннельного
микроскопа (СТМ). в котором нанесение материала на подложку происходит за
счет химического осаждения из газовой фазы, происходящего под действием элек
трического напряжения.
7.1.25 мягкая литография. Процесс получения изображения, заключающийся в
нанесении оттиска на подложку шаблоном, изготовленным из мягких материалов
(например, эластомерных материалов).
7.1.27 субтрактивная обработка: Процесс получения изображения, заключаю
щийся в избирательном удалении участков материала резиста в соответствии с
заданным шаблоном.
П р и м е ч а н и е — Пучок рентгеновского излучения трудно сфокусировать на участке, размеры которого на
ходятся в нанодиалазоне (2.7) (в отличие от фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (7.1.8)], поэтому
термин «рентгеновская литография» применяют для процесса печати, выполняемого с помощью специального
шаблона с проницаемыми и непроницаемыми для рентгеновского излучения участками. Шаблон представляет
собой мембрану, изготовленную из материала с низким поглощением рентгеновского излучения, с нанесенным на
нее изображением из материала с высоким поглощением рентгеновского излучения, например, из металла. Как
правило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.
7.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения
7.2.1
adsorption
адсорбция: Удержание молекул газа, жидкости или растворенного вещества no-
верхностмым слоем твердого или жидкого тела, с которым они контактируют, за
счет физических или химических взаимодействий.
[ISO 14532:2001, статья 2.2.2.7J
atomic layer
deposition;
ALD
7.2.2 атомно-слоовоо осаждение: АСО. Процесс получения однородных кон-
формных пленок путем циклического осаждения исходных материалов на подлож-
ку в ходе самоограниченных химических реакций, позволяющих контролировать
толщину нанесенного слоя.
П р и м е ч а н и е — В процессе АСО цикл осаждения исходных материалов, которыйдолжен включать не менее
двух последовательных химических реакций, повторяют несколько раз до получения пленок нужной толщины.
ptasmonic
lithography
scanning force
probe writing
scanning tunnel
ling
microscope
chemical vapour
deposition:
STM CVD
soft lithography
subtractive
processing
7.1.28 рентгеновская литография Процесс формирования рельефного изобра x-ray lithography
жения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью
рентгеновского излучения.
7.2.3
химическое осаждение из газовой фазы. ХОГФ: Процесс получения пленок или
порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия
одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке.
chemical
vapour deposi-
йоп,
CVD
[ISO 2080:2008. статья 2.2. определение термина изменено]
13