ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016
7.3.5 криогенное травление: Процессуправляемого удаления поверхностного слоя cryogenic etch-
материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 Кили ниже, при ко- ing
торой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.
П ри м е ча н и е — Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травле
ния. Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют верти
кальные элементы структуры объекта.
crystallographic
etching
7.3.6 кристаллографическое травление Процесс управляемого удаления no-
верхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью по
различным кристаллографическим направлениям.
7.3.7 глубокое реактивное ионное травление: ГРИТ: Процесс анизотропного
травления (7.3.1), применяемый для получения на подложке структур, элементы
которых имеют заданное соотношение геометрических размеров.
deep reactive
юп
etching;
DRIE
П р и м е р — Отверстия и канавки с вертикальными стенками.
П р и м е ч а н и е — К глубокому реактивному ионному травлению относят Бош-травление (7.3.2) и криогенное
травление (7.3.5).
7.3.8 сухое озоление: Вид химического травления (7.3.3) с применением газо- dry-ashing
образных химических веществ, в процессе которого происходит преобразование
материала в области, подвергаемой травлению, в летучее удаляемое соедине
ние.
П р и м е р — Удаление с подложки шаблона из фоторезиста с применением кислорода.
7.3.9 сухое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя ма- dry-etching
териала с подложки с применением частично ионизированных газов.
сированным на заданном участке с помощью системы электростатических линз.
7.3.10 травление фокусированным ионным пучком: ТФИП: Процесс управляе focused ion-
мого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, сфоку beam
etching;
FIB
П ри м ечания
1 Травление осуществляют распылением материала с заданных участков подложки ионным пучком. Воздей
ствуя ионным пучком на поверхность подложки, можно получить рельефное изображение. В процессе ТФИП
получают изображения с разрешением от 1 до 100 нм.
2 ТФИП относят к видам ионно-лучевою фрезерования.
high-density
plasma etching
7.3.11 травление плазмой высокой плотности. Плазменное травление (7.3.18)
потоком ионов плотностью от 10” до 1012ион/см3с применением источника ионов
на основе электронно-циклотронного резонанса, геликонового источника плазмы,
магнетрона или источника индуктивно связанной плазмы.
П р и м е ч а н и е — В зависимости от цели процесса с помощью плазмы осуществляют травление или осажде
ние. Подложка в реакторе должна быть расположена соответственно осуществляемому процессу.
происходит образование плазмы внутри разрядной камеры, горелки или иного
реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля.
7.3.12 травление индуктивно связанной плазмой: ТИСП: Плазменное травле inductive cou
ние (7.3.18) с применением источника индуктивно связанной плазмы, в котором pled
plasma:
ICP
7.3.13 ионно-лучевое травлоние; ионно-лучевое фрезерование: Процесс управ- ion beam
ляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, no- etching;
лученным с помощью источника плазмы.ion beam milling
7.3.14 изотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного isotropic etching
слоя материала с подложки, происходящий с одинаковой скоростью по всем про
странственным направлениям.
16