ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016
цесс ХОГВ (7.2.3), основанный на термическом разложении газообразных веществ
с применением катализатора.
7.2.4 каталитическое химическое осаждение из газовой фазы: КХОГФ. Про catalytic chemical
vapour deposi
tion:
CCVD
П ри м ечания
1 Процесс КХОГФ применяют для получения углеродных нанотрубок (2.9) из исходных углеводородных матери
алов (например, метан) с использованием катализаторов, например, железо (Fe). никель (Ni) или кобальт (Со).
2 Термин «каталитическое химическое осаждение из газовой фазы» относят к терминам, обозначающим про
цессы катализа.
7.2.5 нанесение покрытия кластерным пучком: Процесс получения структури
рованной пленки путем осаждения наночастиц (2.6) на подложку с использовани ем
источника кластерного пучка.
7.2.6 нанесение покрытия методом погружения: Процесс получения пленки путем
погружения подложки в специальный раствор иее последующего извлечения из него.
7.2.7 электроосаждение: электролитическое осаждение: Процесс получения по
крытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специаль
ном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.
7.2.8 осаждение методом химического восстановления: Процесс получения по
крытия путем автокаталитического осаждения ионов материала из специального
раствора в результате реакции взаимодействия ионов материала с растворенным
восстановителем на поверхности подложки.
7.2.9 элоктрораспылоние. Процесс получения твердого материала, осаждаемого
на подложку, в результате диспергирования исходного материала через сопло, к
которому приложено напряжение.
7.2.10 выпаривание. Процесс получения твердого материала, осаждаемого на
подложку, в результате испарения исходного материала при нагревании до задан
ной температуры в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего
охлаждения.
7.2.11 осаждение фокусированным электронным пучком: ОФЭП: Химическое
осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного (концентри
рованного) потока электронов для осаждения молекул исходного газообразного
материала на заданных участках поверхности подложки.
7.2.12 осаждение фокусированным ионным пучком. ОФИП: Химическое осаж
дение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного потока ионов для
осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках по
верхности подложки.
duster beam
coating
dip coating
electrodeposition:
electroplating
electroless
deposition
electro-spray
evaporation
focused
electron-beam
deposition
focused ion-beam
deposition;
FIB
П р и м е ч а н и е — ОФ!ИП применяют, например,дляосаждения газообразного карбонила вольфрама [W(CO)gJ. В
вакуумной камере под воздействием ионного пучка газообразный карбонил вольфрама разлагают на летучие и
нелетучие компоненты; нелетучий компонент, вольфрам, в результате химической адсорбции оседает на под
ложку. ОФИП применяют также для осаждения других металлических материалов, например, платины. Осаж
денный таким способом металлический материал можно использовать в качестве временного слоя для защиты
объекта от разрушающего воздействия ионного пучка.
molecular beam
epitaxy
7.2.13 молекулярно-лучевая эпитаксия. Процесс получения монокристалличе-
схой пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул ис-
ходного материала (материалов) на монокристаллическую подложку в условиях
высокого или сверхвысокого вакуума.
П ри м ечания
1Специальное отверстие в оборудованиидля молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит пере
нос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предна
значено для формирования соответствующих молекулярных пучков.
14