Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 56662-2015; Страница 21

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р 56102.2-2015 Системы централизованного наблюдения. Часть 2. Подсистема объектовая. Общие технические требования и методы испытаний (Настоящий стандарт распространяется на объектовые подсистемы и входящие в них технические средства и модули в составе вновь разрабатываемых и модернизируемых систем централизованного наблюдения (далее-СЦН) и устанавливает общие технические требования и методы испытаний к ним) ГОСТ IEC 62262-2015 Электрооборудование. Степени защиты, обеспечиваемой оболочками от наружного механического удара (код IK) (Настоящий стандарт касается классификации степеней защиты от внешних механических ударов, обеспечиваемой оболочками для защищаемого оборудования на номинальное напряжение не св. 72,5 кВ. Настоящий стандарт применим к оболочкам оборудования только в части степеней защиты оболочки от механических ударов (далее-ударов)) ГОСТ IEC 61477-2015 Работа под напряжением. Минимальные требования к эксплуатации инcтрументов, устройств и оборудования (Настоящий стандарт распространяется на инструменты, приборы и оборудование, предназначенные для работы под напряжением, и устанавливает для них минимальные требования к техническим характеристикам, производству, отбору, применению и техническому обслуживанию. Установленные в настоящем стандарте требования предназначены для квалифицированных специалистов в целях повышения уровня безопасности при использовании инструментов, приборов и оборудования)
Страница 21
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 566622015
radiation track
etching
7.3.19 травление по трекам излучения: Процесс управляемого удаления поверх-
ностного слоя материала с подложки химическими веществами для формирования
узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бомбарди
ровки)частицами или тяжелыми ионами.
Пример Пористые полимеры, в кот орых узкие каналы образованы предварительным облучением и
последующ ей обработ кой избирательным растворителем.
reactive ion
etching;
RIE
7.3.20 реактивноо ионное травление; РИТ: Плазменное травление (7.3.18) лото-
ком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом напряже-
ния, возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена
подложка, высокочастотного напряженияотносительно изолированныхстенокреак
тора.
П р и м е ч а н и е Поток заряженных ионов плазмы генерируют в специальных условиях (при заданных значе ниях
давления и напряженности электромагнитного поля). Высокоэнергичные ионы бомбардируют поверхность
материала подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами материа ла
подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением (7.3.22), которое относят к изо
тропным процессам травления. РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по различным
пространственным направлениям и с разной скоростью.
7.3.21 избирательное травление: Процесс управляемого удаления поверхнос- selective etching
тного слоя материала с подложки, происходящий с различной скоростью на разных
участках поверхности с различным химическим составом.
Пример
Водные раст воры под воздействием вы сокочаст от ных электромагнитных полей удаляют
с подложки оксид кремния S102и не удаляют кремний.
7.3.22 жидкостное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного wet etching
слоя материалас подложки поддействием жидких химических веществ.
7.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати и нанесения
покрытий
7.4.1 тиснение; импринтинг: Процесс получения рельефного изображения путем embossing;
вдавливания шаблона с заданным рисунком ослой обрабатываемого материала.imprinting
7.4.2 формирование многослойной пленки (нанотехнологии): Процесс получе
ния многослойной пленки путем соединения вальцовкой нескольких отдельных пле
нокна подложке.
7.4.3 осаждение нановолокон: Процессполучения покрытияили структуры объек
та осаждениемнановолокон (2.3) израствора наподложкуили еезаданныеучастки.
multilayerfilm
process
nanofibre
precipitation
7.4.4 напыление наночастиц: Процесс получения покрытия из наночастиц (2.6), nanoparticle spray
при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением coating
распыляемого раствора, плазмы, кластерного пучка или из другого источника нано
частиц.
16