ГОСТ Р 56662—2015
7.2.4 каталитическое химическое осаждение из газовой фазы; КХОГФ; Процесс catalyticchemical
ХОГВ (7.2.3). основанный на термическом разложении газообразных веществс при- vapourdeposition;
менением катализатора.CCVD
П р и м е ч а н и я
1 Процесс КХОГФ применяют для получения углеродных нанотрубок (2.9) из исходных углеводородных материа
лов (например. метан) с использованием катализаторов, например железо Fe. никель Ni или кобальт Со.
2 Термин «каталитическое химическое осаждение из газовой фазы» относят ктерминам, обозначающим процессы
катализа.
7.2.5 нанесение покрытия кластерным пучком: Процессполучения структуриро
ванной пленки путем осаждения наночастиц (2.6) на подложку с использованием
источника кластерного пучка.
7.2.6 нанесение покрытия методом погружения: Процесс получения пленки
путем погружения подложки в специальный раствор и ее последующего извлечения
из него.
7.2.7 электроосаждение; электролитическое осаждение: Процесс получения
покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специаль
ном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.
7.2.8 осаждение методом химического восстановления: Процесс получения
покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специаль
ном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.
7.2.9 электрораспыление: Процесс получения твердого материала, осаждаемого
на подложку, в результате диспергирования исходного материала через сопло, к
которому приложено напряжение.
7.2.10 выпаривание: Процесс получения твердого материала, осаждаемого на
подложку, в результате испарения исходного материала при нагревании до задан
ной температуры в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего
охлаждения.
7.2.11 осаждение фокусированным электронным пучком; ОФЭП: Химическое
осахщение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного (концентриро
ванного) потока электроновдля осаждения молекул исходного газообразного мате
риала на заданных участках поверхности подложки.
7.2.12 осаждение фокусированным ионным пучком; ОФИП: Химическое осаж
дение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного потока ионов для
осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках
поверхности подложки.
duster beam
coating
dip coating
electrodeposition;
electroplating
electroless
deposition
electro-spray
evaporation
focused
electron-beam
deposition
focused ion-beam
deposition;
FIB
П р и м е ч а н и е — ОФИП применяют, например, для осаждения газообразного карбонила вольфрама W(CO)g. В
вакуумной камере под воздействием ионного лучка газообразный карбонил вольфрама разлагают на летучие и
нелетучие компоненты; нелетучий компонент, вольфрам, в результате химической адсорбции оседает на подлож
ку. ОФИП применяют также для осаждения других металлических материалов, например платины. Осажденный
таким способом металлический материал можно использовать в качестве временного слоя для защиты объекта от
разрушающего воздействия ионного пучка.
7.2.13 молекулярно-лучевая эпитаксия: Процесс получения монокристалличес- molecularbeam
кой пленки путем испарения и последующегоосаждения атомов или молекул исход- epitaxy
ного(ых) материала/материалов на монокристаллическую подложку в условиях
высокого или сверхвысокого вакуума.
П р и м е ч а н и я
1 Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит пере-
нос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназна
чено для формирования соответствующих молекулярных пучков.
2 Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например используя арсенид индия InAs и подложку из арсенида гал
лия GaAs. получают структуры размером в нанодиапазоне (2.7).
3 См. библиографию (13).
7.2.14______________________________________________________________________________________
физическое осаждение из газовой фазы; ФОГФ: Процесс нанесения покрытия
испарением исходного материала с последующей его конденсацией на подложке в
условиях вакуума.
physical vapour
deposition;
PVD
[ИСО 2080. статья 2.12]_____________________________________________________________________
13