ГОСТ Р 56662—2015
7.2.15 послойное электростатическое осаждение полиэлектролитов: Процесс
получения покрытия путем последовательного нанесения на поверхность подложки
слоев полиэлектролитов с противоположными знаками электрических зарядов.
7.2.16 термическое напыление (нанотехнологии): Процессполучения покрытияиз
наночастиц(2.6) напыляемого материала, при соударении которыхсподложкой про
исходитихсоединение, сприменением плазменнойструиили в результатесгорания
примесей напыляемого материала.
7.2.17 центробежное осаждение: Процесс получения пленки осаждением из жид
кого исходного материала твердой дисперсный фазы на вращающуюся подложку
поддействием центробежныхсил.
7.2.18 осаждение распылением: Процесс получения покрытия из исходного жид
когоматериала, преобразованногосоплом ваэрозольинанесенногона поверхность
подложки.
7.2.19 осаждение напылением: Физическое осаждение из газовой фазы (7.2.14) с
применением источника высокоэнергичных частиц, бомбардирующих исходный
материал (мишень),для перемещенияатомовисходного материала на поверхность
подложки.
7.2.20 полимеризация на поверхности: Процесс получения полимерной пленки
на поверхности подложки из газовой или жидкой фазы исходного мономера.
polyelectrolyte
layer-by-layer;
LbL
thermal spray
spin coating
spraydeposition
sputterdeposition
surface
polymerization
7.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам травления
7.3.1 анизотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного
слоя материалас подложки, происходящий в вертикальном направлениисо скорос
тью выше, чем в горизонтальном направлении.
7.3.2 Бош-травленио; пассивационмоо травление: Процесс управляемого удале
ния поверхностного слоя материала с подложки неоднократным чередованием цик
лов травления и пассивации, обеспечивающих формирование почти вертикальных
элементов структуры объекта.
7.3.3 химическое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного
слоя материала с подложки поддействием химических веществ.
anisotropic
etching
Bosch etching
chemicaletching
П р и м е ч а н и е — В процессе химического травления применяют жидкие (жидкостное травление) или газооб
разные (сухое травление) химические вещества.
7.3.4 химическое ионно-лучевое травление: Процесс управляемого удаления
поверхностногослоя материала с подложкипучкомионовхимическиактивногогаза,
chemically
assisted
ion beam etching
cryogenicetching
7.3.5 криогенное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного
слоя материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже,
при которой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры
объекта.
П р и м е ч а н и е — Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления.
Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные
элементы структуры объекта.
7.3.6 кристаллографическое травление:Процессуправляемого удаления
поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью по
различным кристаллографическим направлениям.
7.3.7 глубокое реактивное ионное травление; ГРИТ: Процесс анизотропного
травления (7.3.1), применяемый для получения на подложке структур, элементы
которыхимеют заданноесоотношение геометрических размеров.
crystallographic
etching
deep reactive ion
etching;
DRIE
Пример
—
Отверстия и канавки с верт икальными стенками.
П р и м е ч а н и е — К глубокому реактивному ионному травлению относят Бош-травление (7.3.2) и криогенное
травление (7.3.5).
7.3.8 сухое озоление: Вид химического травления (7.3.3) с применением газооб- dry-ashing
разныххимическихвеществ, впроцессе которогопроисходит преобразование мате
риала вобласти, подвергаемой травлению, в летучее удаляемоесоединение.
Пример
—
Удаление с подложки шаблона из ф оторезиста с применением кислорода.
14