ГОСТ Р 56662—2015
7.1.21 фазоконтрастная фотолитография: Процесс получения изображения раз
мерами в нанодиапазоне (2.7) и улучшенным разрешением путем облучения фото
резиста, покрывающего подложку, электромагнитным излучением через шаблон
(фотошаблон) со структурой, сдвигающей фазу проходящего излучения.
7.1.22 плазмонная литография: Процесс формирования рельефного изображе
нияразмерами в нанодиапазоне (2.7) путем облученияфоторезиста, покрывающего
подложку, оптическим излучением через шаблон (представляющий собой металли
ческую плазменную линзу), обеспечивающий возникновение ближнеполевого воз
буждения. вызывающего изменения в фоторезисте.
7.1.23 рисование с помощью сканирующего зондового микроскопа: Процесс
получения рельефного изображения, заключающийся в изменении заданных учас
тков поверхности подложки острием сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) с
чернилами или без них.
7.1.24 химическое осаждение из газовой фазы с применением сканирующего
туннельного микроскопа; ХОГФ СТМ. Процесс получения рельефного изображе
нияразмерамив нанодиапазоне(2.7)спомощьюсканирующеготуннельного микро
скопа (СТМ). в котором нанесение материала на подложку происходитза счет хими
ческого осаждения из газовой фазы, происходящего под действием электрического
напряжения.
7.1.25 мягкая литография: Процесс получения изображения, заключающийся в
нанесении оттиска на подложку шаблоном, изготовленным из мягких материалов
(например, эластомерных материалов).
7.1.26 субтрактивная обработка: Процесс получения изображения, заключаю
щийся в избирательном удалении участков материала резиста в соответствии с
заданным шаблоном.
7.1.27 рентгеновская литография: Процесс формирования рельефного изобра
жения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью
рентгеновского излучения.
П р и м е ч а н и е — Пучок рентгеновского излучения трудно сфокусировать на участке, размеры которого нахо
дятся в нанодиапазоне (2.7) (в отличие от фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (7.1.8». поэтому тер
мин «рентгеновская литография» применяют для процесса печати, выполняемого с помощью специального
шаблона с проницаемыми и непроницаемыми для рентгеновского излучения участками. Шаблон представляет
собой мембрану, изготовленную из материала с низким поглощением рентгеновского излучения, с нанесенным на нее
изображением из материала с высоким поглощением рентгеновского излучения, например из металла. Какпра-вило.
для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.
7.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения
7.2.1
адсорбция: Удержание молекул газа, жидкости или растворенного вещества
поверхностным слоем твердого или жидкого тела, с которым они контактируют, за
счетфизических или химических взаимодействий.
[ИСО 14532:2001. статья 2.2.2.7J
adsorption
7.2.2 атомно-слоевое осаждение; АСО: Процесс получения однородных конфор
мных пленок путем циклического осаждения исходных материалов на подложку в
ходесамоограниченных химических реакций, позволяющих контролироватьтолщи
ну нанесенного слоя.
atomic layer
deposition;
ALD
П р и м е ч а н и е — В процессе АСО цикл осаждения исходных материалов, который должен включать не менее
двух последовательных химических реакций, повторяют несколько раз до получения пленок нужной толщины.
7.2.3
химическое осаждение из газовой фазы; ХОГФ: Процесс получения пленокили
порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия
одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке.
chemical
vapour
deposition;
CVD
[ИСО 2080:2008. статья 2.2. определение термина изменено]
phase-contrast
photolithography
plasmonic
lithography
scanning force
probewriting
scanning
tunneling
microscope
chemicalvapour
deposition;
STM CVD
softlithography
subtractive
processing
x-ray lithography
12