ГОСТ Р 56662—2015
dry-etching
7.3.9 сухое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя
материала с подложки с применением частично ионизированных газов.
7.3.10 травление фокусированным ионным пучком; ТФИП: Процесс управляв-
мого удаления поверхностногослоя материала с подложки потоком ионов, сфокуси-
рованным на заданном участке с помощью системы электростатическихлинз.
focused ion-beam
etching;
FIB
П р и м е ч а н и я
1 Травление осуществляют распылением материала с заданных участков подложки ионным пучком. Воздействуя
ионным пучком на поверхность подложки, можно получить рельефное изображение. В процессе ТФИП получают
изображения с разрешением от 1до 100 нм.
2 ТФИП относят к видам ионно-лучевого фрезерования.
high-density
plasma etching
7.3.11 травление плазмой высокой плотности: Плазменное травление (7.3.18)
потокомионовплотностьюот 1011до 1012ион/см3сприменениемисточникаионов на
основе электронно-циклотронного резонанса, геликонового источника плазмы, маг
нетрона или источника индуктивно связанной плазмы.
П р и м е ч а н и е — В зависимости от цели процесса с помощью плазмы осуществляют травление или осажде
ние. Подложка в реакторе должна быть расположена соответственно осуществляемому процессу.
7.3.12 травление индуктивно связанной плазмой; ТИСП: Плазменноетравление
(7.3.18)с применением источника индуктивно связанной плазмы, в котором происхо
дит образование плазмы внутри разрядной камеры, горелки или иного реактора при
приложении высокочастотного переменногомагнитного поля.
7.3.13 ионно-лучевое травление; ионно-лучевое фрезерование: Процесс управ
ляемого удаления поверхностногослоя материала с подложки потоком ионов, полу
ченным с помощью источника плазмы.
7.3.14 изотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного
слоя материала с подложки, происходящий с одинаковой скоростью по всем про
странственным направлениям.
7.3.15 лазерная абляция: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя
материала с подложки лазерным импульсом.
inductive coupled
plasma;
ICP
ion beam etching;
ion beam milling
isotropicetching
laser ablation
П р и м е ч а н и е — Лазерную абляцию применяют дпя формирования неоднородностей размерами в нанодиа
пазоне (2.7) на поверхности материала, покрывающего подложку.
7.3.16 травление световым излучением; фотохимическое травление: Процесс light-assisted
управляемогоудаления поверхностногослояматериаласподложкисветовым излу- etching;
чением.photochemical
etching
П р и м е ч а н и е — Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы
в специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма попучаемого изображения зави
сят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подпожку. Данный метод при
меняют. например, дпя попучения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего
люминесцентными свойствами
physical etching:
sputteretching
7.3.17 физическое травление; травление распылением: Процесс управляемого
удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под
действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона).
П р и м е ч а н и е — Физическое травление относят к анизотропным и неизбиратепьным процессам травпемия.
7.3.18 плазменное травление: Сухое травление (7.3.9) компонентами плаз- plasma etching
мы — ионами иэлектронами, образованными в результате электрического разряда
в газовой среде.
П р и м е ч а н и я
1 К понятию «оборудование для плазменного травлениях относят реактор с плазмой идвумя емкостными электро
дами. в который помещают материал, подлежащий травлению.
2 В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую
реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результате
образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость травле
ния.
15