ГОСТ Р 56662—2015
П р и м е ч а н и е — В случае применения резиста в качестве шаблона различают два айда аддитивной печати:
обратная литография и аддитивная печать с применением трафарета. В процессе обратной литографии на резист
наносят слой материала, из которого необходимо сформировать рисунок, а затем удаляют резист таким образом,
чтобы нанесенный материал остался вотверстиях. не защищенных резистом, а материал, попавший на резист, уби
рается вместе с ним. В процессе аддитивной печати с применением шаблона материал только добавляют в отвер
стия. не защищенные резистом (допускается применять совместно с процессом электроосаждения (7.2.7)].
7.1.3 блок-сополимерная литография: Процесс формирования рельефного изо
бражения из наночастиц материала, оставшихся на подложке после удаления поли
мерногошаблона.полученногозасчетмикрофазногорасслоения
диблоксополимеров.
7.1.4 литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном: Процессформиро
вания заданногообъекта методамиосаждения или травления в соответствии сшаб
лоном. представляющим собой двухмерную (2D) или трехмерную (3D) структуру из
частиц коллоидного кристалла.
7.1.5 фотолитография в глубоком ультрафиолете; ФГУ: Процесс формирова
ния рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданно го
шаблона с помощью ультрафиолетового излучения вдиапазоне длин волн от 100 до
280нм.
7.1.6
blockcopolymer
lithography
colloidal crystal
template
lithography
deep ultraviolet
lithography;
DUV
dip-pen
nanolithography
перьевая нанолитография: Процесс формирования рельефного изображения
размерами менее 100 нм в соответствии с заданным шаблоном путем переноса
специального материала на подложку с помощью зонда атомно-силового микро
скопа. происходящегозасчетдиффу зиичерезводи ыйменискмежду поверхностью
подложки изондом.
П р и м е ч а н и я
1 На острие зонда атомно-силового микроскопа наносят мопекулы или наночастицы (2.6) специального матери
ала и переносят их на подложку, формируя рельефное изображение, состоящее из одного или нескольких слоев
наносимого материала.
2 «Dip-Реп Nanolithography» — торговая марка чернил, выпускаемых компанией NanoInK Inc. Данные сведения
приведены как пример для правильного понимания содержания настоящего стандарта. В стандартах Междуна
родной организации по стандартизации (ИСО) термин «dip-pen nanolithography* не обозначает понятие «черни
ла». Термин «перьевая нанолитография* допускается применять для обозначения аналогичной продукции.
[ИСО 18115-2:2010. статья 6.40)_____________________________________________________________
7.1.7 электронно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изо
бражения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью
фокусированногоэлектронного пучка.
7.1.8 фотолитография в экстремальном ультрафиолете; ФЭУ: Процессформи
рования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения
заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин
волнот 10до 20 нм.
electron-beam
lithography
extreme ultraviolet
lithography;
EUV
П р и м е ч а н и е — В оборудовании для фотолитографии в экстремальном ультрафиолете используют системы
специальных зеркал.
7.1.9 ионно-лучевая литография: Процессформирования рельефного изображе
ния в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фокуси
рованного ионного пучка.
7.1.10 иммерсионная оптическая литография: Литография (3.6) с повышенной
разрешающей способностью, полученной за счет заполнения воздушного проме
жутка между последней линзой объектива микроскопа и пленкой фоторезиста жид
костью с соответствующим показателем преломления.
7.1.11 интерференционная литография: Процесс формирования рельефного
изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) путем соответствующей обработки
облученного резиста, на поверхности которогос помощьюдифракционных решеток
получена интерференционная картина.
7.1.12 ионно-стимулированное осаждение: Процесс формирования структуры
объекта или рельефного изображения путем увеличения концентрации молекул
focused ion-beam
lithography;
FIB
immersion optics
interference
lithography
10