ГОСТ Р 52250—2004
О
к
ончание таблицы 1
Параметр реаиста
Единица
измерения
Способ
задания норм
Применение
Устойчивость пленки в проявителе
с
НП
Все резисты
Способность маски фоторезиста обеспечивать защиту
поверхности подложки в травителе для кремния
НП При травлении смесью
концентрированных кислот
Широта процесса экспонирования пленки
Л
инейность маски
Теплостойкость проявленного рельефа пленки
с
мДж/см2
мкм
—
Адгезия пленки к подложке
—
ДП
Все резисты
ВП То же
—
»
—
е
П р и м е ч а н и е — В графе «Способ задания норм» приняты обозначения: ДП — двусторонний предел
задания нормы; ВП — верхний предел задания нормы; НП — нижний предел задания нормы; HP — номинальное
значение с двухсторонним допускаемым отклонением.
Необходимость включения конкретных параметров в ТУ определяет разработчик резиста и его
заказчик в зависимости от требуемых свойств резиста и предполагаемой области его применения.
При необходимости состав параметров может быть дополнен другими параметрами, характеризу
ющими свойства конкретных марок резиста и определяющими возможность их применения в заданных
условиях.
5.3.2 Массовая доля сухого остатка должна быть в пределах норм, устанавливаемых в ТУ.
5.3.3 Массовая доля воды в резисте не должна превышать 0.5 %. Конкретное значение массовой
доли воды устанавливают в ТУ.
5.3.4 Массовая доля иафтохинондиазидов в фоторезистах на основе НХД-групп должна быть в
пределах норм, устанавливаемых в ТУ.
5.3.5 Массовая доля микропримесей металлов в резисте должна быть не более значений, уста
навливаемых в ТУ из ряда: 1 • 10
_
3, 1* 10~4, 1 • 10—5, 1 10~в %.
Состав микропримесей и их массовую долю ус
танавливают в ТУ.
5.3.6 Фильтруемость резиста должна быть не
более значений, устанавливаемых в ТУ.
5.3.7 Кинематическая вязкость резиста при за
даваемой в ТУ температуре должна быть в пределах
норм, устанавливаемых в ТУ.
5.3.8 Толщину пленки резиста, сформированной
на подложке, устанавливают в ТУ. Предельные откло
нения от номинальных значенийтолщиныпленкидолж
ны соответствовать установленным в таблице 2.
5.3.9 Микроноровность поверхности пленки фоторезиста должна быть не более 100 А.
5.3.10 Разрешающая способность пленки резиста при заданном номинальном значении ее толщи
ны должна соответствовать значениям, устанавливаемым в ТУ.
5.3.11 Чувствительность пленки фоторезиста к актиничному световому потоку, указываемому вТУ.
должна быть не более 500 мДж/см2.
Коэффициент контрастности (гамма-контраст) пленки фоторезиста должен соответствовать зна
чениям. устанавливаемым в ТУ.
5.3.12 Чувствительность пленки электронорезиста к потоку электронов с энергией, указываемой
в ТУ. должна быть не более значений, устанавливаемых в ТУ из ряда: 1 10-4 , 1 10~5, 1 •10~в,
1 10~7 Кл/см2.
5.3.13 Количество микровключений в пленке фоторезиста должно быть не более значений, уста
навливаемых в ТУ.
5.3.14 Контраст пленки резиста при проявлении ее в указываемых в ТУ проявителях и устанавли
ваемых режимах проявления должен быть не менее значений, устанавливаемых в ТУ для заданной
толщины пленки.
5.3.15 Устойчивость пленки резиста в проявителе с химическим составом, указываемым в ТУ.
должна быть не менее значений, устанавливаемых в ТУ для определенных толщин пленки.
5.3.16 Спектральная чувствительность пленки фоторезиста должна быть в пределах значений,
устанавливаемых в ТУ.
Т а б л и ц а 2 — Предельные отклонения толщины
пленки резиста
В микрометрах
Вия резистаТолщина пленки
Предельное
отклонение
Фоторезист От 0,4до0.9включ. 0.05
Св. 0.9 » 2.0 » 0.10
» 2.00.20
Элехтроно-От 0.2 до 0.4 включ.0.02
резистСв. 0.4 » 0.8»0.05
5