ГОСТ Р 52250-2004; Страница 26

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы

ГОСТ Р ИСО/ТС 10303-1233-2014 Системы автоматизации производства и их интеграция. Представление данных об изделии и обмен этими данными. Часть 1233. Прикладной модуль. Задание требования (Настоящий стандарт определяет прикладной модуль «Задание требования». В область применения настоящего стандарта входят:. - задание требования к изделию или иному объекту;. - обозначение источника требования;. - положения, относящиеся к области применения прикладного модуля ИСО/TС 10303-1141 «Определение точки зрения на требование». В область применения настоящего стандарта не входит описание и структура определения требования) ГОСТ Р 56157-2014 Почва. Методики (методы) анализа состава и свойств проб почв. Общие требования к разработке (Настоящий стандарт распространяется на почвы и устанавливает общие требования к разработке и пересмотру методик (методов) качественного и количественного анализа состава и свойств проб почв) ГОСТ ISO 22972-2014 Масла эфирные. Анализ методом газовой хроматографии на хиральных капиллярных колонках. Общий метод (Настоящий стандарт устанавливает общий метод анализа эфирных масел методом газовой хроматографии на хиральных капиллярных колонках для определения удельного энантиомерного избытка или разделения хиральных соединений, содержащихся в эфирных маслах)

Страница 26

Страница 1

Untitled document

ГОСТ Р 52250—2004

Коэффициент hff, мкм. вычисляют по формуле

пмм л

" I V-

Коэффициент

,, мкм см2/мДж, вычисляют по формуле

i- i>- i

(15)

n ’L E ih<*ri -

" X Е) -

I- 1

где Е,— доза экспонирования У-йпластины, мДж/см2;

ост — остаточная толщина пленки для У-йпластины, мкм;

п — число пластин, взятых для расчета.

Остаточную дисперсию модели Д <2К.| вычисляют по формуле

I е.

I- 1

Е , Ъ икх,

(16)

/1—2

( “ *0 £

ост, ~

(17)

i- I I- 1 г- I

Остаточная дисперсия не должна превышать предельно допустимого значения, равного 0.00414.

Если значение остаточной дисперсии превышает предельно допустимое значение, испытания

повторяют (при проведении испытаний допущена грубая ошибка).

Светочувствительность пленки фоторезиста S, мДж/см2, вычисляют по формуле

5 =

(18)

где h0и />, — коэффициенты, вычисленные по формулам (15) и (16) соответственно.

Гамма-контраст вычисляют по формуле

b(t In 10

(19)

У “

Аи<л

где Ь0 — коэффициент, вычисленный по формуле (15). мкм;

Ансх — исходная толщина пленки фоторезиста, мкм.

8.15.5Результаты испытаний считают положительными, если гамма-контрастпленки фоторезиста

соответствует устанавливаемому в ТУ.

8.16 Контроль разрешающей способности пленки резиста

8.16.1 Контроль разрешающей способности пленки фоторезиста

Разрешающую способность (минимальную ширину воспроизводимого элемента) определяют

путем получения контактным способом изображения фотошаблона-теста, контролируя геометрическую

форму и размеры элементов.

8.16.1.1 Применяемое оборудование (установку экспонирования, сушильный шкаф, микроскоп),

средства измерений, материалы и реактивы устанавливают в ТУ.

8.16.1.2 Подготовка к испытанию

Подготовленные согласно 8.1.6 пластины экспонируют через фотошаблон-тест согласно инструк

ции по эксплуатации установки экспонирования.

Оптимальное значение экспозиции, время проявления и сушки пластин устанавливают в ТУ.

8.16.1.3 Проведение испытания

На полученном изображении фотошаблона-теста с помощью микроскопа при увеличении, указы

ваемом в ТУ. рассматривают указываемый в ТУ модуль. В поле зрения микроскопа вводят группу из трех

прямоугольников («вилку») фрагмента, указываемого в ТУ. находящуюся в столбце, соответствующем