Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 52250-2004; Страница 25

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р ИСО/ТС 10303-1233-2014 Системы автоматизации производства и их интеграция. Представление данных об изделии и обмен этими данными. Часть 1233. Прикладной модуль. Задание требования (Настоящий стандарт определяет прикладной модуль «Задание требования». В область применения настоящего стандарта входят:. - задание требования к изделию или иному объекту;. - обозначение источника требования;. - положения, относящиеся к области применения прикладного модуля ИСО/TС 10303-1141 «Определение точки зрения на требование». В область применения настоящего стандарта не входит описание и структура определения требования) ГОСТ Р 56157-2014 Почва. Методики (методы) анализа состава и свойств проб почв. Общие требования к разработке (Настоящий стандарт распространяется на почвы и устанавливает общие требования к разработке и пересмотру методик (методов) качественного и количественного анализа состава и свойств проб почв) ГОСТ ISO 22972-2014 Масла эфирные. Анализ методом газовой хроматографии на хиральных капиллярных колонках. Общий метод (Настоящий стандарт устанавливает общий метод анализа эфирных масел методом газовой хроматографии на хиральных капиллярных колонках для определения удельного энантиомерного избытка или разделения хиральных соединений, содержащихся в эфирных маслах)
Страница 25
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 522502004
В результате выдержки в проявителе происходит частичное растворение экспонированной пленки
фоторезиста.
Измерение толщины экспонированной пленки фоторезиста после выдержки в проявителе оцени
вают методом измерения толщин или методом измерения оптической плотности пленок.
8.15.3.1 Метод измерения толщин
На каждой /-й пластине пленку фоторезиста прорезают острием скальпеля по диаметру. Остаточ
ную толщину пленки
Л
ОС1(мкм) измеряют в центре пластины на микроинтерферометре, руководствуясь
инструкцией по эксплуатации. Результаты определения остаточной толщины пленки представляют в
виде таблицы 6.
Т а б л и ц а 6 — Остаточная толщина пленки фоторезиста в зависимости от дозы экспонирования
Номер пластины
Доза экспонирования Е. мДж/см2
Остаточная толщина пленки, мкм
1
A
,
2
е
2
oct
AOCTj
....
/
Л
ост,
8.15.3.2 Метод измерения оптической плотности
Для каждой /-й пластины измеряют оптическую плотность пленки фоторезиста послеэкспонирова
ния. а затем после выдержки в проявителе.
Измерение оптической плотности проводят при длине волны, указываемой в ТУ. на спектрометре,
руководствуясь инструкцией по эксплуатации.
В качестве эталона сравнения используют чистую пластину.
Результаты определения оптической плотности пленки представляют в виде таблицы 7.
Т а б л и ц а 7 — Оптическая плотность пленки фоторезиста в зависимости от дозы экспонирования
Номер пластины
Доза экспонирования Е. мДж.’см"’
Оптическая плотность
D
•К П
1
Е,
1
1)
JKC
п
,
1
О
■раш
D
лроин. (
2
е
2
Язьсп,
1
пронв..
/
Е.
D
D
1
JKCfki
Пpot
11.1
Для каждой й пластины вычисляют значение остаточной толщины пленки
Л
ос, . мкм, по формуле
Aipo«u.i,(13)
"о ст, - "и ск
~Т)
------------
жсп,
где
Л
исх исходная толщина пленки, мкм;
7>про*вл — оптическая плотность, измеренная для /-й пластины после выдержки в проявителе;
DIKCU — оптическая плотность, измеренная для i-й пластины после экспонирования дозой, равной £).
8.15.4 Обработка результатов
Для обработки используют только те результаты определения остаточной толщины, для которых
значения
Л
(>С1 находятся в диапазоне от 0.1 до (Ансх — 0.1) мкм.
Для обработки должно быть использовано не менее шести результатов определения
Л
ост.
Вычисляют коэффициенты
и
Л
, модели зависимости
22
Л
= Ь0 +
Л
,Е.
(14)