ГОСТ Р 52250—2004
3 Термины, определения и сокращения
3.1В настоящем стандартепримененыследующиетерминыс соответствующимиопределениями:
3.1.1 резист: Материал, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием опре
деленного излучения и предназначенный для формирования рельефного изображения в процессе
литографии.
3.1.2 литография: Совокупность физико-химических процессов формирования в слое резиста
под воздействием излучений микроизображеиия элементов схемы полупроводникового прибора и
переноса его на подложку.
3.1.3 фоторезист: Резист, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием
света видимого или ультрафиолетового спектра.
3.1.4 электронорезист: Резист, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействи
ем ускоренных электронов.
3.1.5 позитивный резист: Резист, у которого под воздействием излучения стойкость к травите-
лям уменьшается.
3.1.6 негативный резист: Резист, у которого под воздействием излучения стойкость к травите-
лям увеличивается.
3.1.7 чувствительность к излучению: Свойство резиста, характеризующее его способность к
изменению химических свойств под воздействием излучений.
3.1.8 светочувствительность фоторезиста: Параметр резиста, количественно характеризую
щий способность к изменению под воздействием актиничного светового потока химических свойств с
переходом в нерастворимое (негативный) или растворимое (позитивный) состояние.
3.1.9 актиничный световой поток: Световой поток, вызывающий фотохимические реакции в
резисте и изменение растворимости облученных участков.
3.1.10 чувствительность электронорезиста к потоку электронов: Параметр электронорезис-
та. количественно характеризующий способность к изменению под воздействием ускоренного потока
электронов химических свойств с переходом в нерастворимое (негативный) или растворимое (позитив
ный) состояние.
3.1.11 разрешающая способность: Параметр резиста, количественнохарактеризующий способ
ностьформирования микроизображения элементов рисунка с минимально возможными геометрически
ми размерами.
3.1.12 устойчивость в проявителе: Параметр резиста, количественно характеризующий его
способность противостоять воздействию проявителя.
3.1.13 контраст: Параметр резиста, количественно характеризующий способность получения
резко дифференцированной границы между экспонированным и неэкспонированным участками.
3.1.14
коэффициент контрастности (гамма-контраст): Градиент прямолинейного участка характе
ристической кривой.
[ГОСТ 2653—80, статья 60]
3.1.15
экспонирование: Воздействие излучения на фотографический материал.
[ГОСТ 2653—80. статья 8]
3.1.16 широта процесса экспонирования: Интервал экспозиции между конечной и начальной
точками прямолинейного участка характеристической кривой.
3.1.17 адгезия пленки резиста: Свойство резиста, характеризующее способность слоя резиста
препятствовать проникновению к подложке жидких реагентов, используемых в процессах литографии.
3.1.18 оптимальная экспозиция: Время, при котором получают неискаженные геометрические
формы элементов, выполненных в пределах допуска на их размеры.
3.1.19
признак продукции: Качественная или количественная характеристика любых свойств или
состояний продукции.
[ГОСТ 15467—79, статья 53]
2