ГОСТ Р 52250—2004
8.20.2 Подготовка к проведению испытания
Подготавливают буферный травитель и травитель для кремния. Способ приготовления травите-
лей. их состав и концентрацию указывают в ТУ.
Проводят подготовку защитной маски на пластинах с нанесенной на них пленкой резиста
согласно 8.1.6.
Пластины с пленкой резиста экспонируют через шаблон дозой, устанавливаемой в ТУ.
Проэкспонированные пластины выдерживают в проявителе. Температуру проявителя, его состав
и время выдержки указывают в ТУ.
Затем пластины промывают, сушат на центрифуге и в сушильном шкафу в режимах, указываемых
в ТУ. Для удаления окиси кремния со свободных от фоторезиста участков пластины помещают в ванну
с буферным травителем. Пластины выдерживают в травителе в течение времени, необходимого для
полного удаления окиси кремния. После окончания травления пластины промывают дистиллированной
водой и сушат на центрифуге. Обратную сторону пластин покрывают защитным лаком и затем сушат их
в сушильном шкафу.
8.20.3 Проведение испытания
Испытания проводят на трех пластинах, подготовленных по 8.1.6 и 8.20.2. на установках для
травления барботированием.
Пластины помещают в кассету для травления, погружают в стакан с травителем для кремния и
включают секундомер. Время травления пробельных элементов для пластин с защитной маской указы
вают в ТУ.
После окончания травления кассету с пластинами извлекают, промывают в дистиллированной
воде и сушат.
Для удаления защитной маски кассету с пластинами погружают в емкость с диметилформамидом,
которую, в свою очередь, помещают в водяную баню и нагревают баню до кипения. Время выдержки в
бане указываютв ТУ. После этогокассету с пластинами извлекают, промываютвдистиллированной воде и
сушат на центрифуге.
8.20.4 Обработка результатов
Способность фоторезистовой маски обеспечивать защиту поверхности в травителе для кремния
оценивают по внешнему виду окисла кремния после травления и удаления защитной маски.
На микроскопе при увеличении, указываемом в ТУ, рассматривают поверхность окисла кремния,
находившуюся при травлении под слоем защитной маски.
8.20.5 Результаты испытания считают положительными, если на рассмотренной поверхности
окисла кремния после травления в течение времени, устанавливаемого в ТУ, не наблюдаются дефекты в
виде радужных пятен и разводов.
8.21Контроль адгезии пленки резиста к подложке
Адгезию пленки резиста к окиси кремния оценивают посохранению на подложке сформированных
элементов заданной ширины после выдерживания пластины с пленкой резиста в проявителе в течение
трехкратного времени проявления.
8.21.1 Применяемое оборудование (установку совмещения и экспонирования, микроинтерферо
метр). средства измерения (секундомер, термометр, фотошаблон-тест, посуду), материалы и реактивы
указывают в ТУ.
8.21.2 Подготовка к испытанию
Пленку резиста, нанесенную на пластины, подготовленные по 8.1.6. экспонируют на установке
экспонирования через фотошаблон-тест в соответствии с инструкцией по эксплуатации в течение
времени, устанавливаемого в ТУ.
Пластины помещают в ванну с проявителем и выдерживают в течение трехкратного времени
проявления.
Состав проявителя указывают в ТУ.
Пластины извлекают из проявителя, промывают в дистиллированной воде и сушат.
Условия и время промывания и сушки устанавливают в ТУ.
8.21.3 Проведение испытания
На микроинтерферометре при увеличении, указываемом в ТУ. рассматривают указываемый в ТУ
модуль изображения фотошаблона-теста. В поле зрения микроскопа вводят группу элементов указы
ваемой в ТУ ширины, находящихся на поле фрагмента, цвет и номер которого указывают в ТУ.
8.21.4 Результаты испытания считают положительными, если на рассматриваемом участке поля
фрагмента не наблюдается отслаивание отдельных элементов задаваемой в ТУ ширины.
25