ГОСТ Р 52250—2004
8.13.4 Проведение испытания
8.13.4.1 Иглу датчика помещают на поверхность пластины с пленкой фоторезиста и включают
движение датчика в направлении, перпендикулярном к радиусу пластины, проходящему через выбран
ную точку.
Расстояние от края пластины до иглы должно составлять•»5 мм.
Игла датчика должна пройти путь не менее 0.5 мм. Конкретное значение устанавливают в ТУ.
8.13.4.2 В соответствии с инструкцией по эксплуатации профилографа-профилометра записыва
ют профилограмму микрорельефа поверхности пленки фоторезиста.
На каждой пластине делают по два измерения в выбранных точках.
Микронеровность поверхности пленки фоторезиста оценивают по максимальному вертикальному
отклонению профилограммы от отрезка прямой, соединяющей две соседние впадины (рисунок 3).
Рисунок 3
8.13.5 Обработка результатов
8.13.5.1 Микронеровность пленки фоторезиста X, нм. вычисляют по формуле
где Н — вертикальное отклонение профилограммы от прямой, мм;
К — вертикальное увеличение.
За результат испытания принимают среднеарифметическое значение всех измерений.
8.13.5.2Результаты испытаний считают положительными, если микронеровность пленки фоторе
зиста соответствует значению, устанавливаемому в ТУ.
8.14 Контроль спектральной чувствительности пленки фоторезиста
8.14.1 Метод контроля спектральной чувствительности пленки фоторезиста устанавливают в ТУ.
8.14.2 Результаты испытания считают положительными, если спектральная чувствительность
соответствует устанавливаемой в ТУ.
8.15 Контроль чувствительности к актиничному световому потоку и гамма-контраста плен
ки фоторезиста
8.15.1 Применяемое оборудование (установкуэкспонирования, микроинтерферометр, сушильный
шкаф, дозиметр), средства измерения (секундомер, термометр), материалы и реактивы указывают в ТУ.
8.15.2 Подготовка к проведению испытания
В качестве подложки используют пластины из оптического стекла с нанесенной на них пленкой
фоторезиста. Марку материала пластин, их количество и способ формирования пленки указывают в ТУ.
8.15.3 Проведение испытания
Одну пластину используют для определения исходной толщины пленки фоторезиста. Пленку
фоторезиста прорезают острием скальпеля по диаметру и измеряют исходную толщину пленки — Ансч в
центре пластины на микроинтерферометре, руководствуясь инструкцией по эксплуатации.
Пластины с пленкой фоторезиста экспонируют полностью при энергетической освещенности,
указываемой в ТУ. причем дозу экспонирования для каждой последующей пластины увеличивают на
значение, равное значению дозы экспонирования предыдущей пластины.
Дозу экспонирования t) для каждой /-й пластины. мДж/см2, вычисляют по формуле
< 1 2 >
где В— энергетическая освещенность. мВт/см2:
/а|ССП— время экспонирования /-й пластины, с.
Пластину с проэкспонированиой пленкой проявляют, промывают в дистиллированной воде и
сушат. Состав проявителя, время проявления, промывания и условия сушки указывают в ТУ.
21