ГОСТ Р 8.698-2010; Страница 28

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы

ГОСТ Р 8.696-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра State system for ensuring the uniformity of measurements. Interplanar spacings in crystals and the intensity distribution in diffraction patterns. Method for measurement by means of an electron diffractometer (Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра. Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус14 до 10 в ст. минус 6 А. Настоящий стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния) ГОСТ Р 53440-2009 Основные нормы взаимозаменяемости. Характеристики изделий геометрические. Нормальные конусности и углы конусов Basic norms of interchangeability. Geometrical product specifications. Standard rates of taper and cone angles (Настоящий стандарт распространяется на применяемые в машиностроении конусности и углы конусов гладких конических элементов деталей и устанавливает ряды нормальных конусностей от 1:0,289 до 1:500 и углов конусов от 0,114 град. до 120 град. Настоящий стандарт не распространяется на конусности и углы конусов, связанные расчетными зависимостями с другими принятыми размерами, негладкие конические элементы деталей (призматические элементы, конические резьбы, конические зубчатые передачи и т.д). Правила указания размеров и допусков конических поверхностей на чертежах согласно ГОСТ 2.320) ГОСТ 31386-2008 Смеси сухие строительные клеевые на гипсовом вяжущем. Технические условия Dry building glued gypsum binder mixes. Specifications (Настоящий стандарт распространяется на сухие строительные дисперсные клеевые смеси заводского изготовления, изготавливаемые на гипсовом вяжущем с различными добавками, предназначенные для монтажа гипсокартонных листов, гипсовых плит и блоков, элементов архитектурного декора на основе гипсового вяжущего при проведении внутренних работ при строительстве, ремонте и реконструкции зданий и сооружений. Не допускается применение клеевых смесей при отделке поверхностей керамической плиткой, бетонными плитами на основе портландцемента. Настоящий стандарт устанавливает технические требования к сухим смесям, смесям, готовым для применения, и затвердевшим смесям)

Страница 28

Страница 1

Untitled document

ГОСТ Р 8.698—2010

- для каждой из К кривых рассеяния определяют значения угловых координатд^1(к = 1,2

.....

К) в

нанометрах в минуспервой степени максимумов интенсивности, соответствующих осцилляциям Кисси-

га из выбранной по настоящему подпункту группы осцилляций Киссига (s= 1, 2

.....

S):

- вычисляютзначения толщины пленки Ls*. нм. дляк-й кривой рассеяния (к = 1.2...., К) для каждой

пары соседних осцилляций Киссига (s = 1,2

.....

S - 1) по формуле

где q1** — значения угловых координат на к-й кривой рассеяния {к =1.2К). нм"\ максимумов интен

сивности. соответствующих осцилляциям Киссига из выбранной по настоящему подпункту

группы осцилляций Киссига (s = 1,2

.....

S);

S — число последовательных осцилляций Киссига. установленное по настоящему подпункту;

- вычисляют толщину пленки L, нм. как среднеарифметическое значение толщин пленки, вычис

ленных для К кривых рассеяния идля каждой пары соседних осцилляций Киссига на каждой из кривых

рассеяния, по формуле

где Lik — значение пленки для s-й пары (s = 1. 2...., S - 1) соседних осцилляций Киссига на к-й кривой

рассеяния (к = 1. 2

.....

К), вычисленное по настоящему подпункту, им;

S — число последовательных осцилляций Киссига. установленное по настоящему подпункту;

К — число повторно измеренных кривых рассеяния в режиме «на отражение от поверхности»,

установленное по 10.3.6.

12 Контроль погрешности результатов измерений

12.1 Расчет погрешности измерения значений максимального размера наночастиц и их

электронного радиуса инерции в монодисперсных системах

12.1.1 С помощью программного обеспечения вычисляют значения для Н г 10 кривых рассеяния

/Л = /Л(ф). Л = 1, 2.....Н. по формуле

гдепорядковый номер значения угла на кривой рассеяния (/=1. 2

....

М):

/.— нормированное значение интенсивности рассеянного от образца рентгеновского излучения,

вычисленное по 11.1.1.14;

а;_ суммарная погрешность измерения нормированного значения интенсивности рассеянного от

образца рентгеновского излучения, вычисленная по 11.1.1.14;

— псевдослучайное число, сгенерированное для /-го значения угла на Л-й кривой рассеяния с по

мощью генератора псевдослучайных чисел со стандартным нормальным распределением, яв

ляющимся составной частью программного обеспечения дифрактометра по 5.2.

12.1.2 Используя вычисленные по 12.1.1 значениявместо /,, вычисляют по 11.1.2 «значений

Dmi(!n в нанометрах, определяющих максимальные размеры наночастиц, которые соответствуют каж

дой из Н сгенерированных по 12.1.1 кривых насыщения (/?= 1, 2,..., И).

12.1.3 Суммарную погрешность ас, нм. максимального размера наночастиц в монодисперсной

системе вычисляют по формуле

где Отаяд— значение максимального размера наночастиц, которое соответствует h-й из Н сгенериро

ванных по 12.1.1 кривых рассеяния (h = 1. 2

.....

Н), вычисленное по 12.1.2. нм;