ГОСТ Р ИСО 26262-10—2014
Опаабигш
аиштОЙ’
Л
МЫЫПЯГТа
Ь
Сав>
5
=а
gnigw uWii
тк>о«дгт»1 др—доду
X
RAU МТ&ГЯЛМИЕМТ
фСиЯВЖМ
П
^■■1Д | Ц » и iГЬII
йлмлатв йЗг
м м п ъ и « 1
|
ГОШПАТА
гсн м дм ет
1
ООКШ15*
1RMJPBttt
*
CBL17)
ГЬ яон и й н
И1ШЧ1Ч1Ч1 швам
Ьгада|*к(МУ
бпяднмГО »
д ч и
ш
я
Л ira w t w
м (т ш л и м ОВУ
<w
О
Ш
11
(К
Ш
ОпимЖО
— д цш Д
оО
I» аггшгрши—г ОЗУ
ОJHWMШИ1Ч
д н и »
A N
1-DC№W RAM
Ж
QKTES9
Пааг/рмкмпмя
i|w iH ^im n i и свет
встшданнш a s f
СПЛМЕЙМ
■SW
Х
3 7
№
О^Ю1
М
г
ш итлнчгитячд
■оолимдвах»
В
ш
ш
а м
ш
ОЗУ
СжыпвсДм
■«из
«и
остеиеюш
1
о-кжль?
Iм
7— s
DCPEWRAM
1 сь2.1пагт»е
;
(В.17)
Рисунок В.16 — Ветвьдерева неисправностей верхнего уровня, представляющая энергозависимую память
83