ГОСТ Р ИСО/АСТМ 51431-2012
оптимальной энергии электронов. Могут быть использованы и другие спосо
бы уменьшения коэффициента неравномерности дозы, например применение
аттенюаторов, рассеивателей, отражателей [29], [30].
11.5.
1.2У словия облучения
— В зависимости от насыпной плотности,
толщины, неоднородности технологической загрузки, некоторые технологии
могут требовать применения двустороннего облучения для достижения при
емлемого значения коэффициента неравномерности дозы [3], см. также руко
водство ISO/ASTM 51649. В случае двустороннего облучения области мак
симальной и минимальной доз могут быть совершенно другими по сравне
нию с односторонним облучением (см. рисунки. 4 и 5 для облучения элек
тронным пучком). В связи с этим при электронном облучении необходимо
соблюдать осторожность при двустороннем (или многостороннем) облуче
нии, поскольку небольшое изменение толщины или насыпной плотности
технологической загрузки или энергии электронов может привести к созда
нию неприемлемой дозы вблизи центра технологической загрузки. В случае
облучателей сплошного потока равномерность поглощенной дозы может
быть улучшена путем размещения отражателей для регулирования потока
продукта через зону облучения.
Рисунок 4 - Области Dnuv и D,,*, (показанные штриховкой) для случая прямо
угольной технологической загрузки при одностороннем облуче
нии электронным пучком
37