ГОСТ Р ИСО/ЛСТМ 51431-2012
ной глубины проникновения обычно выбирают массу на единицу площади
(кг м 2), но иногда ее выражают в единицах толщины (м) заданного материала.
3.1.15 спектр энергии электронов (electron energy spectrum): Распределение
интегральной плотности потока электронов как функция энергии.
0
0
3.1.16 экстраполированная глубина проникновения пучка элек
тронов (extrapolated electron beam range), Rcx: Глубина от поверхности входа
пучка в референсный материал (т.е. на которой электроны входят в материал) до
точки на оси глубин, где касательная, взятая в точке наибольшей крутиз ны
(точке перегиба) на почти прямой спадающей части кривой распределе ния
дозы по глубине, пересекает ось глубин.
3.1.16.1Замечание- При определенных условиях Rcx= /?р, что показано
на рисунке 3. Эти условия обычно выполняются в случае пищевых продук
тов, облучаемых электронами с энергией равной или меньшей К) МэВ. См.
также 3.1.23.
3.1.17 глубина половинного от входного значения дозы (half-entrance
depth). (/?
5
е): Глубина однородного материала, на которой поглощенная доза
уменьшается до 50 % от величины поглощенной дозы на входной поверхно
сти материала (см. рисунок 3).
3.1.18 глубина половинной дозы (half-value depth) (R
5
): Глубина од
нородного материала, на которой поглощенная доза уменьшается до 50 % от
максимальной величины дозы поглощения (см. рисунок 3).
3.1.19оценкакачествамонтажаустановки(IQ)(installation
qualification): Получение и документальное оформление свидетельств, что
излучатель, вместе со всем относящимся к нему оборудованием и аппарату
рой, поставлен и смонтирован в соответствии с техническими условиями.
3.1.20оценкаоперационногокачества(OQ)(operational
qualification): Получение и документальное оформление свидетельств, что
характеристики установленного оборудования и аппаратуры укладываются в
заранее определенные пределы при использовании в соответствии с методи
ками работы.
12