ГОСТ Р ИСО 14644-10—2014
0.2.5 Подготовка к проведению анализов
Если методы прямого анализа непригодны, то следует подготовить образец к проведению анализа, ис
пользуя дополнительную обработку поверхности (см. также рисунок D.3).
Примерами такой обработки являются:
a) полевая ионная (FIB) микроскопия — обработка пучком ионов для образования поперечного разреза в
образце в форме острой иглы, который затем анализируется с помощью микроскопа с высокой разрешающей
способностью, например сканирующего электронного микроскопа (SEM). трансмиссионного электронного микро
скопа (ТЕМ) или сканирующего трансмиссионного электронного микроскопа (STEM).
b
) спектроскопия с термической десорбцией (TD) — загрязнения испаряются под действием тепла, затем
проводится анализ полученной газовой фазы. Могут применяться следующие методы:
- хромато-маес-спектрометрия термической десорбцией (TD-GC/MS) для неорганических и металлических
поверхностей, когда окончательный анализ выполняется с помощью газовой хроматографии и масс-
спектрометрии;
- термическая десорбционная спектроскопия (TDS) для работы с Н2. N* или СО*:
- масс-спектроскопия с использованием термической десорбции и измерением интенсивности ионов с по
мощью квадрулопьного масс-спектрометра (TD-QMS):
- масс-спектроскопия с использованием ионизирующего масс-спектрометра с термической десорбцией
(TD-API-MS);
- термическая десорбция с пластин (WTD) для полупроводниковых пластин;
c) экстракция растворителями (SE) — для растворения загрязнения на поверхности применяют соответст
вующий растворитель, образующийся контрольный раствор исследуют одним из следующих методов «влажно го»
микроанализа:
- растворение с применением растворителя (SD). когда загрязнение и загрязненный материал (поверх
ность) растворяются на глубину в несколько нанометров (D.2.8);
- разложение парами (VPD), когда загрязнение растворяется при обработке парами плавиковой кислоты,
затем полученная паровая фаза анализируется (D.2.8).
D.2.6 Сравнительные методы контроля
Характеристика методов контроля дана в приведенных ниже таблицах, которые не являются исчерпываю
щими и могут служить лишь в качестве справочного материала. В таблице D.1 приведены прямые методы, в
таблице D.2 — косвенные, которые могут требовать предварительной подготовки.
D.2.7 Прямые методы контроля
Основой прямых методов являются комплексные методы Х /У (например. GC/MS), где X — основной
метод контроля с хроматографическим разделением и количественной оценкой. Классификация основана на
процессе X . Процесс У описывает дополнительные функции, например чувствительность масс-спектрометра
для каждого хроматографического пика и получение количественной оценки. Может быть получена дополни
тельная для « X » информация, например, массовая хроматограмма или массовый спектр для каждого неопре
деленного пика.
Т а б л и ц а D.1 — Прямые методы измерений иобласти их применения
Сокра
щенное
Метая
обозна
чение
Принцип работы
Получен
ная
информа
ция
Чувстви
тельность
Разрешающая
способность
в поперечном
сечении,
глубине
В
и
д
оличествен-
ного
анализа
Типовые
области
применения
ЭлектроннаяAESМетод электронной Состав0.1 %<10 20 ниП опухоли-Характеристика за
Оже-(ЭОС)спектроскопии с из структуры нм чсстоемный грязнений поверх
спектроско мерением распреде состан ности. многослой
пия ления энергии Оже- дартныминая структура
элоктроноа,отдематериала
ляющихся от поверхми
ности