ГОСТ Р ИСО 14644-10—2014
X
М
з
т ш
А
1
мМ4
с -•
’•®5-8кйЯн№
йййнИЫ
-т-т— ~ ~ —
я тв и к
Щ Ж 1Ш
10
ШШЩ&МШШЖ#
.............
100
З
ч%9мй%ж*5-5«-■|
X — химическое загрязнение поверхности: У — основные методы контроля;
2
— глубина контроля, нм.
Р
— частицы;
О
— органические вещества;
М
— металлы.
I — ионы, в т. ч. кислоты и основания,
а — времяпролетная ыасс-спектроыетрия вторичных ионов (TOF-SIMS);
b — рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS);
с — Оже-спектросхопия (AES), d — сканирующая электронная микроскопия (SEMK
е — энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия (SEM-EOX).
f — дисперсионная рентгеновская спектроскопия по длине волны (SEM-WDX);
д — реитгеиофлуоресцеитиая спектроскопия с полным внешним отражением (TXRF):
h — хромато-масс-слектрометрия термической десорбцией (TD-GCJMS).
J— спектроскопия подвижности ионов с термической десорбциеи’масс-спектрометрия (TD-IMS.’MS);
) — инфракрасная (ИХ) Фурье-спвхтроскопия (FTIR);
А: — ИК-Фурье-спектросхопия многократного внутреннего отражения (MIR-FTIR);
/ — кварцевые микровесы (QCM); т — датчик на поверхностных акустических волнах (SAW )
л — масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой с разложением парами плавиковой кислоты |VPD-ICP;MS);
о — масс-спектрометрия вторичных ионов (SIMS);
р — рентгенофлуорссцентиая спектроскопия с полным внешним отражением
с разложением парами плавиковой кислоты (VPD-TXRF);
р — ионная хроматография|‘масс-слсктромстрия с экстракцией растворителем (SE-IC.’MS);
г — высокоэффектривная жидкостная хроматография с экстракцией растворителем (SE-HPLC)
Рисунок D.2 — Общая схема выбора методов контроля
D.2 Критерии оценки частоты поверхности по концентрации химических загрязнений
D.2.1 Общие положения
Для классификации чистоты поверхности следует выполнить оценку химического загрязнения поверхно
сти.
Для выполнения оценки (количественной или качественной) и классификации чистоты поверхности следу
ет определить число и типы химических загрязнений, подлежащих определению.
D.2.2 Требования к методам контроля
При выборе метода контроля следует учесть свойства поверхности и предъявляемые к ней требования. К
наиболее важным условиям относятся;
a) химические свойства поверхности и ее устойчивость (например, материал);
b
) методы контроля прямые [с применением устройств, работающих в реальном масштабе времени (на
пример, датчик на поверхностных акустических волнах)];
c) методы контроля косвенные (с применением аналитического оборудования, например, подложек или
дисков для сканирующей электронной микроскопии).
d) скорость контроля и требуемые методы (например, применение метода случайного отбора проб или
контроля серии);
17