ГОСТРМЭК 61800-4—2012
/т —
U0 —
анодный ток, А;
напряжение анод-катод. В;
—
fd(0(T, —
время затухания тока, с;
время выключения, с.
Для некоторых применений СТО требуется снаббер, формирующий траекторию переключения, из-за боль
ших запасов зарядов в таких устройствах (см. САЗ). Обычно при использовании GCT регенерирующая цепочка
снаббера не является необходимой.
С.З Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
С.3.1 Потери в открытом состоянии (потери, связанные с прямым падением напряжения)
Когда IGBT включен (открыт), прямой токи напряжение насыщениямежду коллектором и эмиттером
вызывают потери в установившемся режиме, равные
ЯТ
Л
„ = и ,пи
ГТ*Тп
где РТо„ — потери от прямого падения напряжения в открытом транзисторе. Вт:
ито— напряжение на открытом транзисторе (пороговое напряжение в насыщенном состоянии), В:
гт — сопротивление транзистора в открытом состоянии. Ом:
/Тау— среднее значение тока коллектора транзистора, А;
hr™* — действующее значение тока коллектора транзистора, А.
С.3.2 Потери от прямого тока утечки
Когда между зажимами коллектора и эмиттера IGBT приложено прямое напряжение и прибор находится в за
крытом состоянии, ток утечки от коллектора к эмиттеру вызывает потери от прямого тока утечки. Кроме того, потери
также возникают от обратного тока утечки через обратный диод.
С.3.3 Потери, связанные с прямым падением напряжения (потери в обратном диоде в открытом со
стоянии)
Обратный диод наиболее часто встраивается в модули IGBT. Обычно потери в обратном диоде нельзя из
мерить и отделить от потерь в IGBT.
Pan ~ ^FO^rav+O^Frms•
где Я^оо— потери от прямого падения напряжения или в открытом состоянии диода, Вт:
UFQ— падение напряжения в открытом состоянии диода (прямое пороговое падение напряжения). В;
rF— сопротивление диода в открытом состоянии. Ом;
/Fav — среднее значение анодного тока диода. А;
/Frms — действующее значение анодного тока диода. А.
С.3.4 Коммутационные потери в обратном диоде (потери в обратном диоде в закрытом состоянии)
Наиболее часто обратный диод встраивается в модули IGBT. Обычно потери в обратном диоде нельзя из
мерить и отделить от потерь в IGBT.
С.3.5 Потери в затворе
У IGBT потери в затворе пренебрежимо малы, потому что он имеет полевое управление (MOS control) с вы
соким полным сопротивлением цепи затвора.
С.3.6 Коммутационные потери
Ввммн
74
Рисунок С.2 — Формы кривых при коммутации IGBT