ГОСТРМЭК 61800-4—2012
Приложение С
(справочное)
Потери в силовых полупроводниковых приборах
С.1 Тиристор
С.1.1 Потери в открытом состоянии (потери, связанные с прямым падением напряжения)
В открытом состоянии тиристора прямой ток и прямое падение напряжения Up вызывают потери в открытом
тиристоре в установившемся режиме.
Потери в открытом тиристоре можно выразить как
Рог,=^TO^Tav -Мтгт»’
где Р0О— потери от прямого падения напряжения или потери открытого тиристора. Вт;
1/то — напряжение на открытом тиристоре (прямое пороговое падение напряжения), В;
r-f — сопротивление открытого тиристора. Ом;
/уау — среднее значение анодного тока тиристора. А;
/Tfms — действующее значение анодного тока тиристора. А.
С.1.2 Потери от прямого тока утечки
Когда к зажимам анода и катода тиристора приложено прямое напряжение и тиристор поддерживается в за
крытом состоянии, ток утечки от анода к катоду вызывает потери от прямого тока утечки. Обычно потери от прямого
тока утечки пренебрежимо малы, потому что прямой ток утечки у тиристора очень мал.
С.1.3 Потери от обратного тока утечки
В течение обратного периода, когда тиристор заперт, ток утечки от катода к аноду вызывает потери от обрат
ного тока утечки. Обычно потери от обратного тока утечки пренебрежимо малы, потому что этот ток очень мал. Од
нако коммутационные потери возрастают у высоковольтных тиристоров или у работающих при высоких частотах.
С.1.4 Коммутационные потери (потери при включении и потери при выключении)
Коммутационные потери пренебрежимо малы; исключения составляют инверторы с высокой выходной ча
стотой. инверторы с высокой частотой ШИМ (которые недавно стали применяться в устройствах с естественной
коммутацией) и высоковольтные преобразователи.
С.1.5 Потери энергии в затворах
Потери в затворах тиристоров зависят от тока затвора и напряжения между затвором и катодом. В мощных
полупроводниках эти потери обычно пренебрежимо малы
С.2 GTO/GCT тиристоры (запираемые по затвору, коммутируемые по управляющему электроду)
С.2.1 Потери в открытом состоянии (потери, связанные с прямым падением напряжения)
Когда СТО открыт, прямой ток и прямое падение 1/т напряжения вызывают потери в установившемся режиме
Pro, =^л/тву +Мтгт*»
где— потери от прямого падения напряжения или потери в открытом состоянии. Вт;
010 — напряжение на открытом тиристоре (прямое пороговое падение напряжения). В;
гт — сопротивление открытого тиристора. Ом;
/тау — среднее значение анодного тока тиристора. А;
/TnTIS — действующее значение анодного тока тиристора, А.
С.2.2 Потери от прямого тока утечки
Когда прямое напряжение приложено между зажимами анодов и катодов GTO/GCT и они в закрытом состо
янии. ток утечки от анода к катоду вызывает потери от прямого тока утечки. Обычно потери от прямого тока утечки
пренебрежимо малы, потому что прямой ток утечки у тиристора очень мал.
С.2.3 Обратный диод (потери, связанные с прямым падением напряжения)
Потери в открытом диоде
fbon ~t^Fotav+fflrn
где
Poor,
Ц=0
*
потери от прямого падения напряжения или в открытом состоянии диода. Вт;
падение напряжения в открытом состоянии диода (прямое пороговое падение напряжения). В;
сопротивление диода в открытом состоянии. Ом,
среднее значение анодного тока диода. А;
действующее значение анодного тока диода. А.
72