ГОСТ Р 57394—2017
общего коэффициента ускорения проводят по модели коэффициента ускорения от температуры. При
этом влияние форсированного электрического режима учитывают при определении температуры кри
сталла в форсированном режиме
^ПЕР.Ф. = ^ОКР.Ф + ^ЛЕР-ОКРРРЛСФ
(5)
или
;
’ПЕР.Ф.
= 7
КОРП.Ф
^ЛЕР-
КОРП ’ РА
С
.Ф
(
6
)
где ЯПЕр_01СР — тепловое сопротивление кристалл-среда;
^
пер
-
корп
— тепловое сопротивление кристалл-корпус;
Ррдо ф — мощность рассеяния в форсированном режиме;
ГОКРф — температура окружающей среды в форсированном режиме;
ТКОРП ф — температура корпуса в форсированном режиме.
Расчет рассеиваемой мощности Ррдс ф проводят по формуле
Ррдс ф = и ч(7)
где параметры напряжения и тока конкретизируют для конкретного вида изделия.
П ри м е ч а н и я
.
1 Если значение ^
пер
-
корп
(^
пер
-
окр
) не установлено ТУ. то в формулах (5). (6) используют значение
л П£РКОРЛ (^псрокр)’ определенное руководящими документами [1] и [2]. Допускается использовать значение
^ПЕР.КОРЛ (^
пер окр
)- определенное в соответствии с указанным в [1]. [2) и в тех случаях, когда тепловое сопро
тивление в ТУ установлено.
Для тепловыделяющих изделий расчет по модели коэффициента ускорения от температуры применим, если
можно задать необходимый форсированный режим на каждый элемент или элемент (массив элементов), несущий
основную мощностную нагрузку и определяющий надежность изделия.
2 В тех случаях, когда Ррдс мала, (ложно считать T
qkp
равным ТКОРП.
5.8 При использовании модели Аррениуса значение Еа определяют экспериментально согласно
приложениям Г. Д, Е, Ж или выбирают минимальное значение из таблицы А.1 (приложение А) для
механизма отказа, установленного в результате обобщения и анализа материалов испытаний. Если
механизм отказов не один, а более, то выбирают наименьшее значение £а.
5.9 Если энергию активации и механизмы отказов по 5.2 определить не удается (отсутствие от
казов и неизменность ПКГ), то значение обобщенной (средней) энергии активации механизмов отказов
выбирают из таблицы 1. При этом если ГПЕР и ГПЕРФ лежат в разных диапазонах температуры (для ко
торых в таблице 1 указаны разные значения энергии активации), то общий коэффициент ускорения ра вен
произведению коэффициентов ускорения, рассчитанных для каждого диапазона в пределах ГПЕР
и ТП£РФ по формуле (2). Для дискретных полупроводниковых приборов в этой ситуации принимают
Е
a
= 0.6 Эв.
Таблица 1
Группа
интегральных микросхем
Значение обобщенной энергии активации при различных температурах
кристалла (перехода), эВ
25- 70 "С
71-150 *С
151 -200 ‘С
201-250 "С
Биполярные цифровые ТТЛ. ЭСЛ
0.3
0.4
0.5
0.6
Биполярные цифровые ТТЛ-Ш.
на p-МОП структурах
0.3
0.5
0.6
0.7
5