ГОСТ Р 57394—2017
- коэффициент ускорения К,
3 5 ,^ 5
при испытаниях УДИБ при ТакрКИЬ = 135 ’С по отношению к испытаниям на
наработку до отказа Т_при Т ^рд^ = 65 °С
П.7.3 Определяют продолжительность ускоренных испытаний микросхем УКИБ при Т’оирукиБ = 135 "С:
?УКИ8 =
-Z
-------= 3000/1.55 = 1935 ч.
"УКИБ
Определяют продолжительностьдополнительных ускоренных испытаний микросхем на наработку УДИБ при
ТофУДИБ = 135 :С по окончании испытаний КИБ (/и):
П
.8
Расчет режима и продолжительности УКИБ и УДИБ для мощных тепловыделяющих СБИС
Данные из ТУ: Ту= 100000 ч; Г0фТУ = 85 "С: РРЛС= 0.74 Вт;
р перкорг
)=
4
6,0 град/Вт.
Режим КИБ: Г0фКИС= 85 "С. <и = 3000 ч.
Режим ДИБ: Г0фДИБ= 65 "С. /ДИБ = 100000 ч.
П.8.1 Находят значения ГПЕР при испытаниях микросхем в режимах ТУ:
^перКМБ = ^офКИБ + «ПЕР-ОКР’ Р РАС = 8 5 -4 6 .0 0.074 = 119 *С;
^перДИБ = Гс*рДИБ + ^ПЕР-ОКР’ РРАС = 65 +46.0-0.74 = 99 ’ С.
Находят значения температуры кристалла ГПЕР при ускоренных (форсированных) испытаниях микросхем
при Т0(СРф= 115 ’С:
^лврУКМБ = ^пврУДИБ = ТСКР.Ф * РПЕРОКР’ РРАС= 115 + 46 ■0.74 = 149 "С.
Это максимально допустимая температура окружающей среды при ускоренных испытаниях данных СБИС,
т. к. температура кристалла практически достигает предельного значения +150 "С.
Энергия активации при температуре перехода в диапазоне 71 ;С...150 ’С составляет Еа = 0.65 эВ (см. та
блица
1
).
П.8.2 Находят значения коэффициентов ускорения:
- коэффициент ускорения К
1 3 5 л 2 5
при испытаниях УКИБ при ГОКРФ = 115 "С по отношению к испытаниям
- коэффициент ускорения К
11 5(Б 5
при испытаниях УДИБ при ГОКРф = 115 "С по отношению к испытаниям на
наработку до отказа 7, при= 65 ,JC:
J
=а«юю-эооо-
22
да B7V|
86.52
"Ри Г
0
фКИБ = 85 °С:
38