ГОСТ Р 57394—2017
П.2 Расчет режима и продолжительности УДИБ для мощных транзисторов
Данные из ТУ: t, = 25 000 ч. Я
д
ерокр
= 12 град/Вт.
Режим КИБ: Г0КР= 90 "С. Uk =10 В. /к = 0.5 А.
Режим ДИБ: Г0Кр = 65 "С. Uk =10 В. 1к = 0.5 А.
П.2.1 Находят значения. Гпер(ЫБ Еа ГперУДИБ
-
-
Тг М
=W + «ПЕРОКР^к*-/к)=
90
+
12100.5=150
ГС).
Гг>орДИБ =
6 5
+12-10 0.5 = 125 ("С).
Значение энергии активации определяется в соответствии с 5.8 и по одной из формул (Г.5), (Д.4), (Е.
6
) или
(Ж.5).
Е
а
= 0.6 эВ.
Для выбранного значения 1уд^Б= 1250 ч и соответствующего КУДИБ= 20 (7.2) по формуле (
8
) определяют
ГперУДИБ=200°С-
П.2.2 Сопоставляют 7ПерУДИБи Т1>ерКИБ. Получен второй вариант 7.3.1. Для данного транзистора температу
ра 200 "С находится в пределах ОДФ. поэтому принимают ГперУДИБ = 200 ’С.
Если сохранить при УДИБ Uk = 10 В. а 1К увеличить до /к = 0.8 А. то
ГКОРП = ТперУДИБ- ^ПЕРОКРh) = 200- 12-10- 0.8 = 104 (’’С), округляют значение до 110 ’С. Устанавли
вают режим УДИБ:
Т
корп
= 119 ’С. Uk = 10 В. /к = 0.8 А.
П.2.3 Оценку выполнения требований ТУ по наработке производят по истечении 1250 ч, затем испытания
продолжают до 1800 ч для проверки КТЗ.
П.З Расчет режима и продолжительности УДИБ для выпрямительного диода
Данные из ТУ: lf = 50 000 ч. ЯрЕРОКР= 30 ФЭДГВт.
Режим КИБ: Г0КР = 80 ’С. 1^,р = 0.5A. (/пр = 0.8 В.
Режим ДИБ: ТОКР= 25 ‘С.= 1A. Unp= 1 В.
П.3.1 Находят значения: ГпеоКИБ. 7 ^ ^ . Г ^ д * .
Гмркив = 80 + 30-0.5 0.8 = 92 ГС);
^ ^= 25 + 30-1-1 =55 ГС):
Значение энергии активации определяется в соответствии с 5.8 и по одной из формул (Г.5), (Д.4). (Е.
6
) или
(Ж.5).
Ед= 0.6 эВ.
Для выбранного значения (удиБ = 2 000 ч и соответствующего К уд ^ = 25 (см.7.2), Т ^ у д ^ = 112 "С.
1
П.3.2 Сопоставляют Г(еруДк,Б и 7пер4<ИБ. Получен второй вариант 7.3.1. Для данного диода принимают
гпсрУДИБ=112*с.
Если принять электрический режим, установленный для КИБ: Unp = 0.8 В. /иа(р = 0.5 А. то Токр = ГпвоУДИС -
- *nERO№<<VUp> =
1 1 2
- 30 0.5-0.8 = 100 ’С.
Устанавливают режим УДИБ: Г0КР = 100 "С. /маф = 0.5 A. Unp = 0.8 В.
П.3.3 Оценку выполнения требований ТУ по наработке производят по истечении 2000 ч. затем испытания
продолжают до 2500 ч для проверки КТЗ.
П.4 Определение облегченного режима для заданных в ТУ наработки
t,
и
t/o6n
(для маломощного транзистора)
Данные из ТУ: /• = 80 000 ч: (ko6n = 100 000 ч; ЯПЕР0(СР= 0.5 град/мВт
Режим ДИБ: Г0КР = 50 *С. Uk = 20 В. /к =
6
мА.
П.4.1 Находят Т(>ердИБ. Е0, К ^ , ГПЕРобп.
.
= Ъ
кр
+ *
пер окр
« V * /к) = 50 + 0.5-20-6 = 110 ”С:
35