ГОСТ Р 57394—2017
П.6.2 Вычисляют нижнюю границу ИТВАХ 1к}И. среднее значение тока коллектора /А и среднеквадратичное
отклонение о, по формулам (Л.7)—(Л.9). гюлученные данные заносят в таблицу П.1.
П.6.3 Строят график нижней границы ИТВАХ. т. е. зависимость /^ (Ц Д представленную на рисунке П.1.
Рисунок П.1
П.6.4 На участке АВ ИТВАХ определяют любые значения Uk и /кдля режима УКИБ. Например, выбраны зна
чения Uk= 20 В. /к= 0.5А. при этих значениях обеспечивается ГПЕР= ТпврУКИБ= 190 "Сдля заданной ГКОРП= 125 "С.
П.7 Расчет режима и продолжительности УКИБ и УДИБ для маломощных микросхем КМОП с нормой
проектирования >
1
мкм.
Данные из ТУ;= 100000 ч; 7
0
ф-ру = 125 С; Ррдс = 0,182 Вт; ^
пер
-ОКР = ^ град/Вт.
Режим КИБ; Г = 125 “С.= 3000 ч.
Режим ДИБ;= 65 "С, <диБ = 100000 ч.
П.7.1 Находят значения Г ^ р при испьпаниях микросхем в режимах ТУ;
6
Т"пврКИБ = Го*рКИБ + РПЕР-ОКР РРАС=
1 2 5 + 7 2 ’0 - 1 8 2
=
1 3 8
’С^
7
пврДИ “ ^орДИБ + РПЕРСЖР‘ РРАС =
6 5
+72 0.182 = 78 *С.
Находят значения температуры кристалла (перехода) при ускоренных (форсированных) испытаниях микро
схем при 7 ^ рф = 135 "С;
7перУКИБ = ГокрУДИБ = ГОКР.Ф + ^ПЕР ОКР’ РРАС =
1 3 5
+72-0.182 = 148 *С.
Энергия активации при температуре перехода в диапазоне 71 “С...150 °С составляет Ед = 0.65 эВ (см. таб
лицу
1
).
П.7.2 Находят значения коэффициентов ускорения:
- коэффициент ускорения К
1 3 & |1 2 5
при испытаниях УКИБ при Г0КРф =135 "С по отношению к испытаниям /и
ПР” ТсрКИБ
^ 1 2 5
*™“ *
]* %бе
- коэффициент ускорения К
1 2 Ь ^ 5
при испытаниях КИБ при
= 125 ’С по отношению к испытаниям на
наработку до отказа 7у при Т0фУДИБ = 65 X
37