ГОСТ Р 57394—2017
Приложение А
(справочное)
Модели коэф ф ициентов ускорения для различных механизмов отказов
Т аб лиц а А.1
Механизм
отказа
Ускоряющий
фактор
Модель коэффициента
ускорения
Значения констант модели
коэффициента ускорения
Группы изделий, для
которых характерен
данный вид отказа
1Электродиффу-
зия, элехтромигра-
ция (разрушение
металлизации)
т
где Ту и Г0 — темпера
тура кристалла в форси
рованном и нормальном
режимах. °К;
*
= 8.6-10’*эВИ<
Ед
=
0.6-0.7 зВ
для А) металлизации;
Ед
=
0.4-0.6 эВ
для AlSi металлизации;
Ед
=
0.8-1.0 эВ
для крупнозернистой ме
таллизации (с размером
зерна
>
1.2 мкм);
Е а -
1,0*1,2 эВ
для Аи металлизации.
Микросхемы инте
гральные
Мощные СВЧ и ВЧ
транзисторы cAJ
металлизацией.
Диады, стабили
троны. тиристоры
I
1
ш
где
у
и
/Q
— плотность
тока в форсированном и
нормальном режимах
п
= 1
при/S 2-105 А/см2;
п -2
при 2
Ю5<
/S 10еА/см2.
л
= 3*3.5
при
/>
10е А/см2
2 Зарядовая неста
бильность в слое
окисла и на границе
окисла с полупро
водником(дрейф
порогового напря
жения. повышение
канальных утечек,
потеря заряда в
РПЗУ.случайные
изменения содер
жимого ячеек памя-
т
Ч К Щ
Ед
=
1.0*1,2 эВ
для механизмов потери
заряда в РПЗУ (в основ
ном. из-за загрязнений);
Ед
=
0.9*1.2 эВ
для нестабильности
пороговых напряжений
(дрейфа ионов, перерас
пределения зарядов);
Ед
=
0,7*0.8 эВ
для повышения каналь
ных утечек;
Ед
=
0.6-0.8 эВ
для механизмов, при
водящих к случайным из
менениям содержимого
ячеек памяти
Маломощные,
средней мощности
и высоковольтные
биполярные и
полевые тран
зисторы. Диоды,
варикапы, тири
сторы.
Постоянные
запоминающие
устройства (ПЗУ):
РПЗУ и ППЗУ.
Цифровые бипо
лярные аналого
вые микросхемы
ти)
exp
a
(Uy- U0).
где Uy и Ц, — напряже
и
ние питания (смещения)
в форсированном и нор
мальном режимах
а -
0.1+0.2 В 1
для цифровых биполяр
ных микросхем;
а =
0.2+0.42 В 1
для МДП структур, ана
логовых микросхем.
11