ГОСТ Р 57394—2017
Приложение Л
(обязательное)
Мотоды определения границ области допустимого ф орсирования
Л.1 Общие положения
.
Л.1.1 Граница ОДФ характеризует максимально возможное значениерУИБ, тока, напряжения, при которых
все еще не происходит изменение основных механизмов отказов, характерных для нормальных испытаний на без
отказность. Критерием выполнения данного условия является отсутствие отказов по нормам ТУ.
Л.1.2 В пределах ОДФ должны быть выполнены следующие требования:
- температура на кристалле (переходе) ТПЕРне должна превышать: 300 “С — для маломощных изделий на
кремнии; 250 "С — для мощных изделий на кремнии и арсенид-галлии; 150 "С — для германиевых полупроводни
ковых приборов:
- напряжения на кристалле (переходе) не должны приводить к возникновению электрических пробоев:
- сочетание температуры, тока и напряжения не должно вызывать явления теплового пробоя или предше
ствующего ему теплового шнурования — образования горячих пятен:
- плотность тока в пленке металлизации для приборов с алюминиевой металлизацией не должна превы
шать 106 А/см2для дискретных полупроводниковых приборов и 2-10е А/см2для интегральных микросхем;
- температуру среды (корпуса) принимают равной 65 X для дискретных полупроводниковых приборов, она
не должна превышать предельно допустимых температур используемых материалов (припой, клей и др.);
- при наличии соединений алюминий-золото на кристалле изделий температура в области этих соединений
не должна превышать 200 X .
Изделия должны сохранять способность функционировать (полностью или частично), их электрические па
раметры в форсированном режиме могут выходить за пределы норм ТУ. при этом не должно происходить необ
ратимой потери функционирования и ухода параметров за нормы ТУ. т. е. при возвращении к нормальному режиму
изделия должны восстанавливать работоспособность по ТУ.
Л. 1.3 Испытаниям подвергают одну выборку. Рекомендуемый объем выборки: не менее 10 шт. — для мощ
ных транзисторов, тиристоров и микросхем и 20 шт. — для остальных изделий.
Л. 1.4 Определение границ ОДФ рекомендуется проводить методом ступенчато-возрастающей нагрузки по
руководящему документу [3] с дополнениями, приведенными в разделе Л.2.
Л. 1.5 Для значений ГтерУКИБ илирудиБ- определенных согласно разделам 6 и 7. конкретные значения
Т<ухр (ГКОРП). напряжения и тока могут быть определены методами, изложенными в М.З и М.4, или другими мето
дами по руководящему документу [1]. Эти методы можно использовать и тогда, когда значение Р
пер окр
(^
перксрп
) в ТУ не задано.
Л.2 Определение границ ОДФ при ступенчато-возрастающей нагрузке (ступенчатые испытания)
Л.2.1 При испытаниях осуществляют увеличение температуры кристалла (перехода) 7’rt£-p за счет роста Гд^р
(Т
кор
л
) и (или>Р
рас
-Электрический режим рекомендуется увеличивать в первую очередь за счет тока.
При ограниченных возможностях испытательного оборудования допускается с какой-то ступени испытаний
переход на форсирование по другому параметру режима (например, напряжению).
Л.2.2 Режим первой ступени испытаний выбирают равным ГПЕРмаи; по ТУ. Режим последней ступени испы
таний устанавливают исходя из выполнения Л. 1.2.
На каждой ступени ГПЕР увеличивают на (20—25) X — для кремниевых и арсенид-галлиевых маломощных
полупроводниковых приборов и на (10—15) X для германиевых полупроводниковых приборов и кремниевых мощ
ных полупроводниковых приборов.
Продолжительность испытаний на каждой ступени должна быть одинаковой (рекомендуется устанавливать
48^ ч). Допускается устанавливать продолжительность ступени 24^ или 96’^ ч.
Л.2.3 Контроль ПКГ проводят при нормальной ГПЕР перед началом и после каждой ступени испытаний.
П р и м е ч а н и е — Для приборов, у которых отказ выявляется устройствами, встроенными в испытательный
стенд, промежуточный контроль ПКГ допускается проводить только на ступенях, на которых этим устройством за
фиксирован отказ.
П.2.4 Испытания прекращают при достижении (20—40) % отказов (включая отказы по условным нормам на
ПКГ и дополнительные параметры) или предельной температуры, указанной в Л. 1.2 (что наступит раньше).
Л.2.5 Границей ОДФ считают значение режима последней ступени испытаний (Гокр (7К0РП). РРАС). на ко
торой отказы по нормам ТУ еще отсутствовали, или ступени, предшествующей появлению первого отказа. Отказ
одного изделия на любой ступени испытаний при отсутствии отказов на двух последующих ступенях не учитывают,
т.к. это свидетельствует о случайном характере данного отказа и о том. что слюны механизма отказа при этом не
происходит.
28