ГОСТ Р 57394—2017
7
14
}
K iw w “ « P
«.«•
10
е’[(Ю+
2
Э)"( В+
273
)]
■11,04
П.8.3 Определяют продолжительность ускоренных испытаний микросхем УКИБ при Г0Ч)УКИ£ = 135°С:
КИ
w=
"У
^
Б
=30O0/3-92=7654-
Определяют продолжительность дополнительных ускоренных испытаний микросхем на наработку УДИБ при
^«жрУДИБ = 115 ГС по окончании испытаний УКИБ:
’У9>
Киож = 100000/11.04 - 765 = 8293 ч.
П.9 Расчет режима и продолжительности УКИБ и УДИБ для маломощных микросхем КМОП
с нормой проектирования 0.24 мкм. Оценка наработки микросхемы в облегченном режиме
Данные из ТУ; Tf = 100000 ч: Г0КР = 85 ’С: перегрев кристалла АГПЕР S 1 *С.
Режим КИБ: ГокрКИБ = 85 ’С. /и = 3000 ч.
Режим ДИБ: ГскрДИБ = 65 “С. /д ^ = 100000 ч.
Режим ДИБ в облегченном режиме: Т„.рдИ(;пдг. = 55 ’С. /дИБойп = 160000 ч.
П.9.1 Находят параметрыдля расчета режимов испытаний микросхем: T ^ ^ g . ТперДИБ. Тпврр11>йа6л.рУХИБ.
ГперУДИБ- На
значения ГПЕР при испытаниях в режимах ТУ (в том числе в облегченных режимах) практически совпадают
с соответствующими значениями T
qkp
-
Значения ТПЕр при ускоренных испытаниях Т[>=руКИБ = Г ^ у д ^ = 125 *С.
Значения энергии активации выбираются из таблицы 1 для Ш О П с нормой проектирования в пределах
0.5—0.09 мкм:
- при ГПЕр в диапазоне температур 25 ”0 —70 °С —
£ а1
= 0.6 эВ:
- при ГПЕр в диапазоне температур 71 °С...150 ГС — £^ = 0.8 эВ.
П.9.2 Находят значения коэффициентов ускорения.
Значения коэффициентов ускорения при испытаниях с учетом различия значений энергии активации
£ д1
и
£ а 2
в различных температурных диапазонах рассчитываются по следующим формулам
K m ~
w
((
2
S+
2
M )]] *
4 а д 0
39