ГОСТ Р 57394—2017
Введение
Настоящий стандарт устанавливает методы ускоренных испытаний на безотказность полупрово
дниковых интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, предусматривающие форсирова
ние режимов эксплуатации.
Методы могут быть применены для многокристальных модулей и микросборок.
Методы ускоренных испытаний на безотказность используют:
- при проведении кратковременных и длительных испытаний на безотказность (в составе приемо
сдаточных и периодических испытаний);
- при испытаниях дополнительной выборки, проводимых при получении одного отказа на кратко
временных испытаниях на безотказность;
- при проведении новых испытаний.
- при испытаниях, проводимых для подтверждения эффективности специальной программы пе
репроверки изделий, возвращенных изготовителю при отрицательных результатах испытаний, а также
находящихся в производстве до реализации плана мероприятий;
- для оценки эффективности изменений, вносимых в конструкторскую или технологическую до
кументацию (при проведении типовых испытаний);
- подготовке справочных данных об интенсивности отказов.
Методы ускоренных испытаний на безотказность могут быть использованы на этапе приемки
опытных образцов (если это установлено в техническом задании) и испытаниях установочной серии
изделий, при проведении испытаний на безотказность в составе квалификационных испытаний, если
режим ускоренных испытаний на безотказность был ранее отработан и утвержден для изделий, находя
щихся в производстве и являющихся конструктивно-технологическими аналогами новых изделий (при
сравнительной оценке надежности при совместных испытаниях с изделием-аналогом).
Методы ускоренных испытаний на безотказность могут быть использованы при входном контроле
потребителем.
Методы ускоренных испытаний на безотказность могут быть использованы также для определе
ния облегченного режима испытаний и наработки в облегченном режиме.
Для большинства механизмов отказов повышение температуры кристалла (перехода) являются
ускоряющим фактором. В этом случае коэффициент ускорения рассчитывается по модели Аррениуса.
Настоящий стандарт при форсировании испытаний за счет температуры среды (корпуса) опирается
только на модель Аррениуса и не рассматривает модели отказов, использующих температуру в каче
стве ускоряющего фактора, но отличных от модели Аррениуса (например, для микросхем в матричных
корпусах с шариковыми выводами, для которых превалирующим механизмом отказа является деграда
ция не кристалла, а контакта шарик—контактная площадка).
IV