ГОСТ Р М ЭК 748-11-1-2001
П р и м е м а м н е — Вданном контексте слово «активная» используется как антоним слова «неактивная»
и не имеет отношения к активным и пассивным компонентам:
2 контролируемые условия окружающей среды: Условия, которые должны соответствовать
требованиям класса 3,5 по чистоте воздуха. Использование в качестве окружающей среды инертного
газа, такого как азот, должно удовлетворять требованиям по хранению в контролируемых условиях
окружающей среды. Относительная влажность не должна превышать 50
%\
3 диффузионная область: Изолированный объем полупроводникового материала р- или п-типа.
окруженный изоляционным материалом;
4 инородный материал: Любой материал, который не использовался при изготовлении микрос
хемы. или любой материал, смещенный со своего первоначальною или предназначенного для него
места внутри корпуса микросхемы. Материал следует считать закрепленным, если его нельзя удалить
струей газа при давлении менее 140 кПа;
инородный проводящийматериал: Любое вещество, не прозрачное при освещении и увеличении,
используемое при обычном визуальном контроле.
П р и м е ч а н и е — Частицу следует считать вкрапленной в слой пассивации при возникновении вокруг
нес цветного окаймления;
5 функциональные схемные элементы: Активные и пассивные компоненты, такие как диоды,
транзисторы, конденсаторы, резисторы, пересечения межсоединений и т.д.;
6 оксидный мост затвора: Область, расположенная между диффузионными областями стока и
истока в МОГ1-структурах. При описании металлизации, покрывающей оксидный мост затвора,
должны перечисляться все материалы, используемые для электрода затвора;
7 пассивация стеклом: Верхний слой изоляционного материала, который покрывает активную
область схемы, в том числе металлизацию, за исключением контактных площадок и балочных
выводов. Помутнение —наличие мельчайших грешим в слое пассивации;
8 переход: Внешний край слоя пассивации, устанавливающий границы между полупроводни
ковыми материалами р- и п-типа;
9 многослойная металлизация (проводники): Два или более слоя металла или какого-либо
другого материала, используемого азя межсоединений, не изолированных друг от друга нанесенным
или осажденным изоляционным материалом. Термин «нижележащий металл» должен относиться к
любому слою, расположенному под верхним слоем металла;
10 многоуровневая металлизация (проводники): Два или более слоя металла или какого-либо
другого материала, используемого для межсоединений, изолированных друг от друга нанесенным
или осажденным изоляционным материалом;
11 функциональная металлизация (проводники): Любой металл или любой другой материал,
используемый для межсоединений, за исключением металлизированных линий скрайбирования,
испытательных шаблонов, неподсоединенных схемных элементов, незадействованных контактных
площадок и опознавательных маркировок:
12 осажденный из пара слой органического полимера (эпоксидная смола): Получаемый из
полимера материал, образующийся на поверхности;
13 первоначальная ширина: Ширина или расстояние, предусмотренные конструкцией (напри
мер. первоначальная ширина металла, диффузионной области, балочного вывода и т.д.);
14 этан пассивации: Изменение толщины пассивирующего слоя для межсоединений металл-
металл или металл-кремний, предусмотренное конструкцией, за исключением линий на поверхнос
ти, с которой пассивирующие слон удаляются в ходе обычной обработки прибора;
15 пассивация: Оксид или нитрид кремния или другой изоляционный материал, нанесенный
или осажденный непосредственно на кристалл до осаждения металла:
16 периферийный металл: Весь металл, находящийся на сетке скрайбирования или непосред
ственно рядом с ней;
17 толстая пленка: Пленка, нанесенная, например, метолом трафаретной печати с последую
щим отжигом при высокой температуре, который придает ей окончательную форму;
18 тонкая пленка: Пленка (толщиной менее 10 мкм), нанесенная на подложку одним из
процессов наращивания, например, методом вакуумного напыления, распыления или пиролитичес
кого распада;
19 подложка: Материал, представляющий собой конструктивную основу, в которой и/илн на
которой размещаются слои пассивации, металлизации и схемные элементы;
20 наименьшая ширина резистора: Самая узкая часть резистора до его полгонки. Наименьшая
ширина блок-резистора может быть указана в документации изготовителя;
3