ГОСТ Р М ЭК 748-11-1-2001
щадки или замыкающая непассивированную металлизацию, или расположенная на поверхности
кремния.
3.2.6.2 Крепление кристалла:
1) излишки материала крепления кристалла, попавшие на верхнюю поверхность кристалла;
2) отсутствие видимого материала крепления кристалла на держателе не менее чем на 50
%
периметра кристалла, кроме тех случаев, когда материал крепления располагается непрерывно по
всей длине двух несмежных сторон кристалла (за исключением прозрачного кристалла);
3) прозрачный кристалл, закрепленный менее чем на 50
%
своей поверхности;
4) отслаивание материала крепления кристалла;
5) излишки материала крепления кристалла, закрывающие более 50
%
периметра кромки
кристалла при наблюдении сверху (см. рисунок 12).
3.2.6.3 Сборка кристалла:
1) кристалл, установленный и ориентированный не в соответствии со сборочным чертежом
прибора;
2) кристалл, угол наклона которого относительно контактной поверхности превышает 10 *;
3) кристалл, перекрывающий изоляционный материал;
4) кристалл, размеры и геометрия которого не соответствуют сборочному чертежу прибора.
3.2.7 Дефекты пассивирования стеклом, большое увеличение
П р и м е ч а н и е — Если дефекты являются результатом лазерной подгонки, то критерии, приисдениые
в данном пункте, могут быть исключены. В этом случае дефекты за пределами выемки, вызванные лазерной
подгонкой, не должны превышать половины оставшейся ширины резистора и должны оставлять бет дефектов
пассивации первоначальную полосу резистора, нс менее половины наименьшей ширины резистора или 6 мкм
— выбирают большее значение (см. рисунок 13). Если этот критерий нс применяют, то принимают образец,
успешно прошедший это испытание.
Прибор считают непригодным, если в нем имеются:
1) повреждения, препятствующие визуальному обнаружению дефектов, перечисленных в
настоящем стандарте;
2) любое вспучивание или отслоение пассивации.
П р и м е ч а н и е —Требования данного пункта могут не применяться к вспучиванию или отслаиванию
пассивации, если последние распространяются на расстояние нс более 25 мкм от расчетного расположения
пассивации, при условии, что металл обнажается только на смежных контактных площадках или на металли
зации. отходящей от этих площадок:
3) две или более смежных активных дорожки металлизации не покрыты слоем пассивации, за
исключением срезов контактных площадок;
4) непасснвированные поверхности, размеры которых в любом направлении превышают
125 мкм, за исключением случаев, предусмотренных конструкцией;
5) непасснвированные поверхности краев контактных площадок, обнажающие кремний;
6) пассивация стеклом, покрывающая более 50 % поверхности контактной площадки;
7) трещины на пленочном резисторе;
8) пустоты в слое пассивации, обнажающие часть тонкопленочного резистора или плавкой
перемычки, за исключением случаев, предусмотренных конструкцией, когда в слое пассивации
делается окно.
3.2.8 Диэлектрическая изоляция, большое увеличение
Прибор считают непригодным, если в нем имеются:
1) нарушение целостности линии изоляции (обычно черной линии) вокруг каждой диффузи
онной области с функциональными схемными элементами (см. рисунок 14);
2) отсутствие непрерывной линии изоляции между любыми смежными областями, содержа
щими функциональные схемные элементы;
3) наличие диффузионной области, перекрывающей диэлектрический изоляционный матери
ал и подходящей на расстояние менее 2.5 мкм к смежной диффузионной области, или наложение
нескольких диффузионных областей на диэлектрический изоляционный материал (см. рисунок 14);
4) контактное окно, касающееся или заходящее на диэлектрический изоляционный материал;
5) царапины или пустоты в металлизации на этапе диэлектрической изоляции, отличные от
критериев, приведенных в 3.2.1.1, перечисление 4), и 3.2.1.2, перечисление 2).
3.2.9 Пленочный резистор, большое увеличение
Критерием для забракования должно быть наличие дефектов, обнаруженных в активно
9