ГОСТ IEC 61188-1-2—2013
Приложение А
(справочное)
КМП (CMOS)
DIP
ЭСЛ (ECL)
ЭМИ (EMI)
FR-4
ИС (IC)
ТПМ (SMT)
Тап(~)
РВР (TDR):
Тр
Г
*
TR
ТТЛ (TTL)
ZQ
Zo
HASL
Единицы, символы и терминология
- комплементарный металлооксидный полупроводник:
- DIP-корпус;
- эмиттерно-связанная логика;
- электромагнитное возмущение;
- стеклотекстолит на основе эпоксидной смолы;
- интегральная схема;
- технология поверхностного монтажа:
- тангенс угла потерь;
- рефлектометрия во временной области;
- полное время задержки распространения линии передачи;
- время задержки распространения на единицу длины;
-1 0 -9 0 % время перехода напряжения (фронт или спад):
- транзисторно-транзисторная логика;
- волновое сопротивление линии (ненагруженной);
- волновое сопротивление линии (нагруженной);
- относительная диэлектрическая проницаемость;
- эффективная относительная диэлектрическая проницаемость;
- нанесение припоя с применением горячего воздуха;
32