ГОСТ IEC 61188-1-2—2013
материале. Кроме того, если материал композитный, например армированный слоистый диэлектрик,
значение , может значительно меняться в зависимости от долевого содержания каждой компоненты.
Относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика структуры межсоединения
будет влиять на электрические характеристики. При разработке выбирают значение , при котором
выполняются системные требования к волновому сопротивлению, емкости и времени
распространения. При постоянной геометрии проводника время распространения пропорционально
полное сопротивление - обратно пропорционально, емкость находится в прямой
зависимости от ,.
Эффективнаяотносительнаядиэлектрическаяпроницаемость-относительная
диэлектрическая проницаемость по длине проводника при передаче сигнала. Значение/ может
быть получено экспериментально, используя рефлектометрию во временной области - РВО (TDR).
3.4.3 Относительная диэлектрическая проницаемость и ее зависимость от частоты
Значения, изависят от количественного соотношения смолы армирующего материала,
температуры, содержания влаги и частоты, на которой выполнено измерение. Рекомендуется
предпринимать меры для гарантии того, что электрические измерения выполняются при условиях,
близких к условиям эксплуатации.
Некоторые материалы, такие как стеклотекстолиты. проявляют зависимость диэлектрических
свойств от частоты, на которой проводят измерение. Частоту выбирают таким образом, чтобы
полученные результаты в виде диэлектрических параметров можно было использовать для точного
прогнозирования электрических характеристик изготовленной печатной платы.
Так как большинство характеристик распространения сигнала на печатной плате определяют
измерениями РВО, целесообразно использовать частоту, соответствующую этим измерениям, как
частоту для сравнения диэлектрических свойств.
Самую высокую рассматриваемую частоту или ширину полосы BW в ГГц для цифрового
импульса вычисляют по формуле:
BW = 0.35П,.
где t, - время нарастания импульса от 10% до 90 % его максимального значения, нс. Таким
образом, у импульса РВО (TDR) со временем нарастания 100 нс существует ширина полосы 3,5 ГГц
(при прохождении сигнала через адаптер измерителя происходит его некоторое ухудшение, в
результате чего получают результаты, заниженные по ширине полосы). Это говорит о том, что те
измерения диэлектрических свойств, которые выполняют методами, отличными от РВО (TDR),
следует проводить при более высоких частотах.
Уравнение для прогнозирования среднего значения г:
, = 4,97-0.257 log— 10*
10
Погрешность три сигмы -±0,35 (8 %).
«Три сигмы»напечатнойплатеприизмерениимеждупроводникамисоставили
± 0,26 (6 %).
Как было ранее заявлено, значение , связано с соотношением смолы и стекла. На рисунке 2
представлено ее усредненное значение.
5