ГОСТ ISO 22036—2014
Продолжение таблицы В. 1
Сдвиг фона
элемент
Л.
Перекрытие спектров
нмМешающий
Описание помех
элемент
Мешающий
Описание помех
элемент
Низкое разрешение:
возможные помехи
Мешающий
Описание помех
Мп
Совпадение с линией Са. Со. Си.
Мп 276.79 нм3TI
СФ
AI
Линия на
примерно 276.75
нм
Сг
Сг
Линии вблизи
276.728 нм и
276.815 нм
Fe
Спад СФ.
обусловленный
линией на 276.754
нм
Спад СФ.
обусловленный
линией на 276.752
нм
Мп
Линия на 276.745
нм
TI276.787
NI
Частичное перекрытие
с линией N1276.76 нм*
Mg
Мо
Линия вблизи
276.820 нм
V
Спад СФ.
обусловленный
линиями на
примерно 276.76
нм*. 276,835 нм.
276.846 нм
Структурированный
фон.TI
обусловленный
линиями на
примерно 276.76 нм
* и276.809 нм
СФ, обусловленный
линией на 276,813
нм
Ti
Совпадение с линией
TI 351.924 нм
Са
Сильный СФСг
Линия вблизи
351.945 нм
Со
Спад СФ,
обусловленный
линией на 351.835
нм
Fe
Линия на 351.888
нм
11
TI
I
V
Совпадение с линией Сг. Fe. Mg.
V 351,917 нмМп. Мо
СФ
Линия на 351.857
нм
Ni
Сильный СФ.
обусловленный
линиями на 351.863
нм и 351.977 нм
Мо
7-
Сг
Ластичное перекрытие
с линией Сг 202.559Mg
нм
СпадСФ.
обусловленный
линией на 202.582
нм
ZSi
*>ЛО£40
Си
Al. Са. Fe.
Нп
л
Т
Слабый СФ
Линия на
МОпримерно 202.58
нм3
Ni
МП, МО. 11,
V
2л206.191
Сг
нм
Al. Са. Fe.
Совпадение с линией
Си 202.548 нм
Частичное перекрытие
; линией Ni 202.538 нм
Частичное перекрытие
слинией 2л 206.149
Mg. Ti. V
Слабый СФ
Мо
Совпадение с линией
Мо 1«теat 500 mq.’I (Ь)
2л213.856Си
Частичное перекрытие
с линией Си 213.853Fe
нм
Малый СФ,
обусловленный
линиями на 213.801
нм и 213.970 нм
TI
Линия на 213.837
нм
Fe
Слабый СФ
V
Линия на 213.816
нм
N1
Совпадение слинией Ca. Mg. Ti.
Fe 213.859 нмV
Совпадение с линией
Ni213.858 нм
’ СФ - параллельный сдвиг фона, если не указанодругое.
2Нет данных линий а таблицахдлин волн.
21