ГОСТ 31610.11-2012/IEC 60079-11:2006
3)уплотнение вокруг выводов должно быть сконструировано, как описано выше, или достигаться
заливкой термоусаживающимся или термопластичным компаундом.
d)элементы или батареи, герметизированные заливочным компаундом, производитель которого
гарантирует возможность его использования с данным электролитом и его соответствие 6.6.
Соответствие а) или Ь) подтверждается декларацией изготовителя элемента или батареи. Соот
ветствие перечислениям с) или d) оценивается проверкой элемента или батареи и. где необходимо, с их
конструкторскими чертежами.
Примечание - Необходимость проверки соответствия элемента или батареи спецификации изготовите
ля настоящим стандартом не регламентируется.
7.5 Полупроводниковые элементы
7.5.1 Влияние переходных процессов
В связанном электрооборудовании полупроводниковые элементы должны выдерживать им
пульсный ток. возникающий в переходном режиме. Значение тока определяется делением ам
плитудного значения напряжения переменного тока или максимального значения напряжения
постоянного тока на значение сопротивления последовательно включенного нвповреждаемого
резистора.
В искробезопасном электрооборудовании влиянием переходных процессов внутри электрообору
дования. а также связанных с источниками его питания можно пренебречь.
7.5.2 Шунты, ограничивающие напряжение
Полупроводниковые элементы могут использоваться в качестве шунтирующих устройств для
ограничения напряжения, при условии, что с учетом переходных процессов они удовлетворяют указан
ным ниже требованиям. Например, добавление одного предохранителя и стабилитрона, нагруженных в
соответствии с 7.1, считается достаточным средством ограничения переходных процессов для цепей,
подключенных к стабилитрону.
Полупроводниковый элемент должен быть рассчитан на ток. равный 1.5-кратному току короткого
замыкания, который может протекать в электрической цепи при замыкании полупроводникового эле
мента. Это должно быть подтверждено в документах изготовителя полупроводниковых элементов в
следующих случаях.
a) диоды, транзисторы, включенные по схеме диода, тиристоры и аналогичные полупроводни
ковые устройства должны быть рассчитаны на номинальный ток в прямом направлении, по меньшей
мере в 1.5 раза превышающий максимально возможный ток короткого замыкания для искробезопасных
цепей уровня «ia» и «ib». и в 1.0 раза для цепей уровня «ic»;
b
) стабилитроны должны иметь
1) в режиме стабилизации - 1.5-кратный запас по мощности, которая может рассеиваться на них:
2) в прямом направлении - 1 ,5-кратный запас по току, который протекает в месте их установки при
повреждении на замыкание для искробезопасных цепей уровня «ia» или «ib». и 1.0 -кратный запас по
току для цепей уровня «ic».
Для искробезопасной цепи уровня «ia» применение управляемых полупроводниковых элементов
в качестве шунтирующих ограничителей напряжения, например, транзисторов, тиристоров, стабили
заторов напряжения и тока, и т. д.. разрешается, если входная и выходная цепи являются искробезо
пасными или будет доказано, что они не подвержены влиянию переходных процессов со стороны пи
тающей сети. В электрических цепях, выполненных в соответствии с вышеуказанными требованиями,
устройства с дублированием считают неповреждаемым блоком.
В связанном электрооборудовании для искробезопасной цепи уровня «ia» могут использоваться
три тиристора при условии соблюдения требований 7.5.1. Электрические цепи с шунтирующими тири
сторами должны быть дополнительно испытаны в соответствии с 10.1.5.3.
7.5.3 Последовательные токоограничительные устройства
Допускается применениетрех последовательноподключенныхблокирующихдиодов вцепяхуровня
«ia». однакодругие полупроводники иуправляемые полупроводниковыеустройствадолжны применяться
вкачествепоследовательнолодключенныхтокоограничительныхустройствтольковоборудованиисцепью
уровня «ib» или «ic».
29