ГОСТ Р 56219—2014
Приложение ДА
(справочное)
М ешающ ие влияния сопутствую щ их элементов
ДА.1 Общие сведения
Сопутствующие элементы, присутствующие в пробе, могут создавать мешающие влияния, например,
при
водить к
систематическим погрешностям при измерении
значения
сигнала от
данного элемента.
Мешающие влияния подразделяют на спектральные и неспектральные. Спектральные мешающие влия
ния действуют на значение
сигнала
аддитивно (вызывая параллельный сдвиг аналитической функции), если они
не отделены от пика массы аналита. Они вызываются моно- и многоатомными ионами, имеющими то же отно
шение
miz
. что и аналит. Спектральные влияния, вызванные моно- и многоатомными ионами, называются так
же изобарическими мешающими влияниями. Неспектральные мешающие влияния, обычно называемые матрич
ными эффектами, воздействуют мультипликативно (изменяют наклон градуировочной характеристики) и приво
дят к изменению чувствительности вследствие изменений состава элементов в измеряемых растворах.
ДА.2 Спектральные мешающие влияния
Д.А.2.1 Спектральные мешающие влияния могут вызывать:
а} изотоп другого элемента, имеющий ту же самую массу, что и изотоп аналита. например ;jFe (мешаю
щий) и ’roi (аналит);
b
) многоатомные ионы, иначе называемые молекулярными ионами. Во многих случаях эти ионы содержат
аргон (плазменный газ) и/или кислород, имеющий своим источником воду распыляемого раствора. Хлориды так
же играют значительную роль в образовании мешающих многоатомных ионов. Примерами являются 4иАг51СГ
(мешающее влияние на ’As") и *4Са вО‘ (мешающее влияние на euNi’);
c) ионы с двойным зарядом, например Ва2’ (мешающее влияние на “ Си, BbZn, *’Zn и stZn).
Многоатомные ионы могут образоваться в плазме из составляющих ее компонентов или за счвт неполной
диссоциации молекул либо в области интерфейса, особенно на граничных слоях охлаждающего устройства ко
нусов семплера и скиммера.
Мешающие влияния от многоатомных ионов обычно оценивают отношением СеО’/Се’ при распылении
раствора церия. Значение этого отношения должно быть менее 0.5 %. Для некоторых типов приборов наблюда
ются уровни значений до 2 % - 3 %. Отношение ВаО’/Ва’. применяемое некоторыми изготовителями приборов, как
правило, в 20 раз ниже, чем отношение СеО’/Се’ и поэтому не рекомендуется к использованию. Уровень дважды
заряженных ионов обычно характеризуется отношениями Се‘"/Се’ или Ва‘ \’Ва’. Типичные значения от ношений
составляют от 1 % до 3 %. Отношение числа двухзарядных ионов для Ва. как правило, в 1.5 - 2 раза выше, чем
для Се. в силу меньшего значения второго потенциала ионизации (IP2) для Ва (10,0 эВ по сравнению с 10.85 эВ для
Се).
ДА.2.2 Возможные
способы
устранения мешающих влияний многоатомных ионов
Мешающие влияния многоатомных ионов могут быть исключены следующими
способами:
a) уменьшением водяной нагрузки на плазму, что приводит к уменьшению уровня всех мешающих влия
ний. обусловленных оксидами. Это может быть достигнуто несколькими способами:
- охлаждением распылительной камеры до 2 °С - 5 °С;
- двсольватзцией аэрозоля с использованием холодильника и/или (полупроницаемой) мембраны. Однако
использование мембранной десольватации может также привести
как
к потерям аналита за счет проницаемости
мембраны по отношению к летучим формам аналита. так и
загрязнению проб определяемыми элементами;
b
) минимизацией концентрации хлоридов в распыляемых растворах путем исключения использования со
ляной кислоты. Для подкисления растворов или минерализации проб рекомендуется использовать азотную кис
лоту. Использование мембранной десольватации может значительно снизить уровень связанных с хлором ме
шающих влияний, поскольку мембрана проницаема для
хлористого водорода
(HCI). Растворы должны быть под
кислены азотной кислотой;
c) оптимизацией условий измерений с целью получения максимального отношения
значения
сигнала ана
лита к
значению
сигнала от помехи. Оптимизируемыми параметрами являются мощность плазмы, скорость пото
ка газа-носителя, скорость введения пробы, глубина отбора пробы (расстояние методу горелкой и вершиной ко
нуса семплера) и т. п. Этот метод может быть также приемлем для снижения влияния уровня мешающих влия ний
от двухзарядных ионов;
d) добавлением молекулярных газов типа Н*. Nj, СН4 и т. д. к газу-распылителю, вспомогательному газу,
газу плазмы или ко всем газам, что в ряде случаев приводит к уменьшению мешающего влияния:
e) добавлением этанола и схожих спиртов к пробе для уменьшения мешающего влияния АгСГ;
’ПриложениеДА соответствует разделу 6 международного стандарта ИСО 17294-1:2004.
"
т/г- отношение массы иона к его заряду.