ГОСТ Р 55993—2014
3.4.69f)
3.4.69h)
3.4.69g)
3.4.66
3.4.82
3.4.82b)
3.4.78
3.1.58))
3.1.58
3.4.82d)
3.4.82c)
3.6.3
3.4.12
3.4.39c)
P
r
—
номинальная MOuiHOCTbfratedpower)
Psoc —
номинальная мощность при стандартных условиях эксплуатации (rated power at
SOC)
рсуи
— номинальная мощность при стандартныхусловиях испытаний (rated
poweratSTC)
R p —
коэффициент преобразования энергии
(performance ratio)
S(>.)—
спектральнаячувствительность(зрес1га1ге8роп8ИгИу)
S(*0fa,
— относительнаяслектральная чувствительность (relative spectral
response)
sA— коэффициент затенения (shadowcoverrate)
sc-SI —
монокристаллический кремний (single
crystalline silicon)
Si —
кремний
(silicon)
Sy>. —
спектральнаячувствительность принагрузке(spectral response underload)
Sv(/.)w —
относительная спектральная чувствительность при нагрузке (relative spectral response
underload)
rams>— температура внешней среды (ambienttemperature)
— температура P-N перехода всолнечном элементе (cell junction temperature)
напряжение нагрузки(load voltage)
— напряжение холостого хода (фотоэлектрических устройств)(open-circuit voltage (photovoltaic
devices))3.4.56
V суи — напряжение холостого хода при стандартных условиях проведения испытаний (open-circuitvol
tage understandard testconditions)
напряжение максимальной мощности (maximum powervoltage)
VR — номинальное напряжение(rated voltage)
Уд — количествочасов использования мощности Р0установкой(аггауу1ек1)
У, —
окончательноеколичество часовиспользования системой мощностиР0(finalsystem yield)
У, —
эталонная отдача (reference yield)
3.4.56a)
3.4.42h)
3.4.69k)
3.4.96а)
3.4 .96с)
3.4.96d)
80