ГОСТ Р 55993—2014
3.1.33 фотоэлектрический элемент интегрированного типа
См. «элемент/элемент интегрированноготипа». 3.1.9е).
3.1.34 переход (полупроводниковый): Переходный слой междуполупро
водниковыми областями с разными электрическими свойствами или между
полупроводником и слоем другого типа, характеризующийся потенциаль
ным барьером, препятствующим проникновению носителейзаряда изодной
области вдругую.
a) P-N переход в солнечном элементе: Переход между полупроводником
P-типа и полупроводником N-тила вФЭ элементе.
integrated type photovol
taic cell
junction (of semiconduc
tors)
conjunction
П р и м е ч а н и е 1 — P-N переходе солнечном элементе расположена пределах барьера или бедной носителя
ми области перехода;
b
) гетеропероход: P-Nпереход, вкотором две областиразличаютсяпопро
водимостямдобавок ипоатомномусоставу;
c) однородный переход: P-N переход, в котором двеобласти различаются
по проводимостямдобавок, но не по атомному составу;
d) барьер Шоттки [переход Шоттки]: Переходмежду металлом иполупро
водником. где область перехода, формирующаяся у поверхности полупро
водника, действует в качестве выпрямляющего барьера;
e) PIN пореход: Переход, состоящий из внутреннего полупроводника меж
ду полупроводником P-типа и полупроводником N-типа. предназначенный
для ограничения рекомбинации носителей заряда.
heterojunction
homojunction
Schottky barrier, Schottky
junction
PIN junction
П р и м е ч а н и е 2 — Р1ЫпереходширокоиспользуетсявтонкопленочныхФЭэлементахизаморфногокремния.
f) P-N переход: Переход между полупроводником P-типа и полупроводни
ком N-типа.
3.1.35 эффектудержания света
См. «эффект/эффектудержания света». 3.1.25Ь).
3.1.36 материал
См. «фотоэлектрический/фотоэлоктричесхий материал», 3.1.43е)
3.1.37 линия металлизации: Металлический проводник на фронтальной
или втыльнойчастиФЭэлемента, предназначенныйдля отводаэлектричес
кого тока, вырабатываемого ФЭ элементом.
П р и м е ч а н и е 1— Линия металлизации может быть создана различными способами.
Линии металлизации бываютдвух типов:
bus bar (of photovoltaic
cells)
а) шина (фотоэлектрических элементов): Линия металлизации с пло-
щадью поперечногосечения большей, чем улиний сетки, подсоединенная к
линиям сеткии предназначеннаядля передачиих электрического токак про
водам или ленточным кабелям, соединяющим один ФЭ элемент сдругими.
П р и м е ч а н и е 2 — Соединительные кабели соединяются с шиной пайкой или электросваркой.
P-N junction
light confinement effect
material
metallisation line
b) линиясетки: Линия металлизации, предназначеннаядля сбораэлектри
ческого тока с поверхности полупроводника ФЭ элемента.
3.1.38 микрокристаллический кремний
См. «кремний/микрокристаллический кремний». 3.1,58с).
3.1.39 модуль
См. «фотоэлектрическийУфотоэлектрический модуль». 3.1.430.
3.1.40 мультикристаллический кремний
См. «кремний/мультикристаллический кремний», 3.1.58d).
3.1.41 многопореходный фотоэлектрический элемент
См. «элемент/многопереходный фотоэлектрический элемент». 3.1.90.
grid line
microcrystalline silicon
module
multicrystallinesilicon
multijunction photovoltaic
cell
5