ГОСТ Р 55993—2014
a) первичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ
элемент, калибровка которого проведена с помощью радиометра или стан
дартного детектора, соответствующего стандарту Мирового радиометри
ческого эталона (МРЭ);
b
) вторичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ
элемент, калиброванный при естественном или искусственном солнечном
свете относительно первичного эталонного элемента.
3.1.51 эталонное фотоэлектрическое устройство: Эталонный ФЭ эле
мент, представляющий собой совокупность множественных эталонных эле
ментов или эталонный модуль.
3.1.52 эталонный фотоэлектрический модуль: Специально калиброван
ный ФЭ модуль, используемый для измерения освещенности или для уста
новкиимитационных уровней освещенностив целях измерения
эксплуатационных характеристик других модулей с аналогичными спек
тральной чувствительностью, оптическими характеристиками, размерами и
электрическойсхемой.
3.1.53 лента: Тонкая полоса из кристаллического или поликристаллическо-
го материала, изготовленная непрерывным методом путем вытягивания из
расплавленного кремния.
3.1.54 фотоэлектрический элементсбарьером Шоттки
См. «элемент/фотоэлектрический элементс барьером Шоттки», 3.1,9i).
primary reference photo
voltaic cell
secondary reference pho
tovoltaic cell
photovoltaic
reference
device
photovoltaic
reference
module
ribbon
Schottky barrierphotovol
taiccell
3.1.55 переход Шоттки
См. «переход. Барьер Шоттки», 3.1.34d)
3.1.56 вторичный эталонный фотоэлектрический элемент
См. «эталонный фотоэлектрический элемент/вторичныйэталонный фото
электрический элемент». 3.1,50Ь).
3.1.57 полупроводниковый материал: Материал, проводимость которого
из-за носителейзарядаобоих знаков, какправило, находитсяв области меж
дупроводникамииизоляторами ив котором концентрацияносителейзаряда
может изменяться в результате внешних воздействий.
Schottkyjunction
secondary reference pho
tovoltaic cell
semiconductormaterial
П р и м е ч а н и е 1 — Термин «полупроводник», как правило, используют там, где носителями заряда выступают
электроны или дырки (атом в отсутствие одного или нескольких электронов).
П р и м е ч а н и е 2 — Для увеличения проводимости, значения подаваемой энергии должны превышать значе
ния энергии в запрещенной зоне. См. также «значения энергии а запрещенной зоне». 3.1.5.
П р и м е ч а н и е 3 — Полупроводники из таких доступных на сегодняшний день материалов, как кремний, арсе
нид галлия, телпуридкадмия и медно-галлиевыйдиселенид.хорошоподходятдля использованияв ФЭпроцессах.
3.1.58 кремний. Si: Химический элемент, способный проявлять свойстваsilicon
металлов, с атомным номером 14, широко используемый в качестве полу
проводникового материала, какправило, входящий в состав песка икварца в
форме оксида и часто применяемый в ФЭ элементах.
1 — Кремний кристаллизуется а гранецентрированную кубическую кристаллическую решетку
П р и м е ч а н и е
подобно алмазу.
П р и м е ч а н и е
2 — Данные термины относятся к материалам, пластинам, элементам и модулям.
amorphous silicon
a) аморфный кремний; a-Si. a-Si:H: Гидрированный некристаллический
кремниевый сплав в полустабильном состоянии, присаженный на чужерод
ный субстрат толщиной порядка 1мкм;
crystalline silicon
b
) кристаллический кремний; c-Si: Общая категория кремниевых матери-
алов с кристаллической структурой, т. е. демонстрирующих порядок решет
ки. характерныйдля атомов кремния;
microcrystalline silicon
c) микрокристаллический кремний; uc-Si: Гидрированный кремниевый
сплав, присаженный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка
1мкм с зернами кристаллической структуры < 1мкм;
7